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SKT215/08C

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 215000mA I(T), 800V V(DRM)
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小278KB,共6页
制造商SEMIKRON
官网地址http://www.semikron.com
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SKT215/08C概述

Silicon Controlled Rectifier, 215000mA I(T), 800V V(DRM)

SKT215/08C规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
标称电路换相断开时间120 µs
关态电压最小值的临界上升速率200 V/us
最大直流栅极触发电流200 mA
最大直流栅极触发电压3 V
最大维持电流250 mA
通态非重复峰值电流6000 A
最大通态电流215000 A
最高工作温度130 °C
最低工作温度-40 °C
断态重复峰值电压800 V
表面贴装NO
触发设备类型SCR
Base Number Matches1

SKT215/08C相似产品对比

SKT215/08C SKT215/06C SKT250/16C SKT215/12C SKT215/16C SKT215/04C
描述 Silicon Controlled Rectifier, 215000mA I(T), 800V V(DRM) Silicon Controlled Rectifier, 215000mA I(T), 600V V(DRM) Silicon Controlled Rectifier, 250000mA I(T), 1600V V(DRM) Silicon Controlled Rectifier, 215000mA I(T), 1200V V(DRM) Silicon Controlled Rectifier, 215000mA I(T), 1600V V(DRM) Silicon Controlled Rectifier, 215000mA I(T), 400V V(DRM)
Reach Compliance Code compli compli compli compli compli compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
标称电路换相断开时间 120 µs 120 µs 120 µs 120 µs 120 µs 120 µs
关态电压最小值的临界上升速率 200 V/us 200 V/us 200 V/us 200 V/us 200 V/us 200 V/us
最大直流栅极触发电流 200 mA 200 mA 200 mA 200 mA 200 mA 200 mA
最大直流栅极触发电压 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
最大维持电流 250 mA 250 mA 250 mA 250 mA 250 mA 250 mA
通态非重复峰值电流 6000 A 6000 A 7000 A 6000 A 6000 A 6000 A
最大通态电流 215000 A 215000 A 250000 A 215000 A 215000 A 215000 A
最高工作温度 130 °C 130 °C 130 °C 130 °C 130 °C 130 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
断态重复峰值电压 800 V 600 V 1600 V 1200 V 1600 V 400 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
触发设备类型 SCR SCR SCR SCR SCR SCR
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