CY7C464-15DMB,CY7C464-15DMB pdf中文资料,CY7C464-15DMB引脚图,CY7C464-15DMB电路-Datasheet-电子工程世界

CY7C464-15DMB: 产品描述FIFO, 32KX9, 15ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28; 产品类别存储存储; 文件大小299KB，共12页; 制造商Cypress(赛普拉斯)

下载文档详细参数选型对比全文预览

CY7C464-15DMB概述

FIFO, 32KX9, 15ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28

CY7C464-15DMB规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码	DIP
包装说明	0.600 INCH, CERDIP-28
针数	28
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	15 ns
其他特性	RETRANSMIT
最大时钟频率 (fCLK)	33.3 MHz
周期时间	30 ns
JESD-30 代码	R-GDIP-T28
JESD-609代码	e0
长度	37.338 mm
内存密度	294912 bit
内存集成电路类型	OTHER FIFO
内存宽度	9
功能数量	1
端子数量	28
字数	32768 words
字数代码	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	32KX9
输出特性	3-STATE
可输出	NO
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP28,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度	5.715 mm
最大待机电流	0.025 A
最大压摆率	0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
宽度	15.24 mm

CY7C464-15DMB相似产品对比

	CY7C464-15DMB	CY7C460-15LMB	CY7C460-15DMB	CY7C464-15LMB	CY7C462-15DMB	CY7C462-15LMB
描述	FIFO, 32KX9, 15ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28	FIFO, 8KX9, 15ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, LCC-32	FIFO, 8KX9, 15ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28	FIFO, 32KX9, 15ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, LCC-32	FIFO, 16KX9, 15ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28	FIFO, 16KX9, 15ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, LCC-32
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)	Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码	DIP	QFJ	DIP	QFJ	DIP	QFJ
包装说明	0.600 INCH, CERDIP-28	LCC-32	0.600 INCH, CERDIP-28	LCC-32	0.600 INCH, CERDIP-28	LCC-32
针数	28	32	28	32	28	32
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	15 ns	15 ns	15 ns	15 ns	15 ns	15 ns
其他特性	RETRANSMIT	RETRANSMIT	RETRANSMIT	RETRANSMIT	RETRANSMIT	RETRANSMIT
最大时钟频率 (fCLK)	33.3 MHz	33.3 MHz	33.3 MHz	33.3 MHz	33.3 MHz	33.3 MHz
周期时间	30 ns	30 ns	30 ns	30 ns	30 ns	30 ns
JESD-30 代码	R-GDIP-T28	R-CQCC-N32	R-GDIP-T28	R-CQCC-N32	R-GDIP-T28	R-CQCC-N32
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	37.338 mm	13.97 mm	37.338 mm	13.97 mm	37.338 mm	13.97 mm
内存密度	294912 bit	73728 bit	73728 bit	294912 bit	147456 bit	147456 bit
内存集成电路类型	OTHER FIFO	OTHER FIFO	OTHER FIFO	OTHER FIFO	OTHER FIFO	OTHER FIFO
内存宽度	9	9	9	9	9	9
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	28	32	28	32	28	32
字数	32768 words	8192 words	8192 words	32768 words	16384 words	16384 words
字数代码	32000	8000	8000	32000	16000	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	32KX9	8KX9	8KX9	32KX9	16KX9	16KX9
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	NO	NO	NO	NO	NO	NO
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	DIP	QCCN	DIP	QCCN	DIP	QCCN
封装等效代码	DIP28,.6	LCC32,.45X.55	DIP28,.6	LCC32,.45X.55	DIP28,.6	LCC32,.45X.55
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	CHIP CARRIER	IN-LINE	CHIP CARRIER	IN-LINE	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度	5.715 mm	2.286 mm	5.715 mm	2.286 mm	5.715 mm	2.286 mm
最大待机电流	0.025 A	0.025 A	0.025 A	0.025 A	0.025 A	0.025 A
最大压摆率	0.18 mA	0.18 mA	0.18 mA	0.18 mA	0.18 mA	0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	YES	NO	YES	NO	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	NO LEAD	THROUGH-HOLE	NO LEAD	THROUGH-HOLE	NO LEAD
端子节距	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	QUAD	DUAL	QUAD	DUAL	QUAD
宽度	15.24 mm	11.43 mm	15.24 mm	11.43 mm	15.24 mm	11.43 mm

推荐资源

SHD103型单台给水泵水位自控Y-△开式启动电路b

希岛-利渤海尔牌BCD-212（KSD21）型电冰箱电路

享受32位的乐趣---EJ-STM32体验板,请各路大侠拍砖!: 人人都能有机会享受32位的乐趣了！重庆优易特电子公司最新推出的EJ-STM32，是一款基于意法半导体（ST）STM32系列高性能32位处理器(Cortex-M3内核)的DEMO板。该板采用底板与核心板组合的工作方式，只需通过换插不同的CPU核心板，即可实现STM32系列多款处理器的代码调试和功能体验。EJ-STM32体验板有UART，USB,1602字符液晶，JTAG调试口，MIC，音频输出，等丰...; aolin stm32/stm8

收到板子，玩了玩，还不错，但我更关心另两个参数: STM8S一直以来都说有绝对的优势，但我从没有得到过两个重要的参数，一，供货量，二，价格不想做比较，但比较是衡量一个产品的性价比STM8S对比AVR有什么优势？主要的价格上替代mega8有那个型号？？？如果价格比mega8贵的话，当我没说话~~~~，如果说是性价比如mega好，但绝对价格没他平宜，也当我没说话~~代理商也可以给我报个价...; uuiikid stm32/stm8

FPGA 控制sdr sdram 如何扩展: 最近用FPGA做了一个SDRAM的控制器,原来是接一片SDRAM, 已经调试OK, 现在需要扩展容量, 不知道两个SDRAM要怎么接?一片SDRAM的容量是256MBIT,数据线是16位的. 到网上查了一下, 说是只要把两个SDRAM的片选信号分开就行了,其它的控制线,数据线全部连接在一起. 可我的疑问是SDRAM需要不停的刷新,如果把一片SDRAM的CSB置为"1",它还能刷新吗?数据会不会丢失...; eeleader-mcu FPGA/CPLD

智能电网之电能质量监测仪-方案介绍: [i=s] 本帖最后由 elvike 于 2016-12-25 22:30 编辑 [/i][align=left][font=宋体]废话写在前面：好久不水贴了，回去翻了一下记录，上一个贴到现在已经一个多月了。[/font]so[font=宋体]今晚有点时间，有点兴致，弱弱水一帖。这次分享的是关于电能质量监测的方案选择。[/font][/align][align=left][font=宋体][siz...; elvike 工控电子

TVS管和稳压管的使用疑问点: 印象中稳压二极管和TVS管使用的原理是，一个很大的电流变化区间里，电压变化不大来制作的，因此一般的稳压管串联一个电阻，从稳压管的两端引出输出电压，也就是Ui（输入电压）=UR（电阻两端电压）+UZD（稳压管间电压），当Ui增大时，ZD流经电流变大，使得UR两端分压变大，从而使得UZD的两端达到了稳压作用。但是实际上看很多电路中，TVS管和稳压管并联在输入电压的两端，我的理解是：Ui（输入电压）=U...; 陈陈陈1 模拟电子

关于磁珠: 我手上有一些磁珠，MMZ2012系列的，大小60欧，最大电流1000mA，我想将它用于电源部分，但是这个磁珠的数据手册里面写着这个系列的是用于signal line（信号线）的，那我可以用于电源部分吗？？我是不是不需要拘泥于字眼，最大电流能够满足要求，那是不是我也就可以用于电源部分了。PS：一般用于电源和用于信号的磁珠区别在哪里，能承受的电流不一样？...; hsleung PCB设计

华为发布全球首款商用5G工业模组MH5000

在华为坂田基地三角地，华为消费者BG IOT产品线总裁支浩发布了全球首款商用5G工业模组MH5000，这是源于华为巴龙5000的5G模组，它充分发挥了巴龙5000的高带宽低时延的5G能力，下行带宽高达2Gbps，上行带宽高达230Mbps！另外它支持NSA/SA双模，同步中国5G网络建设要求！它的推出，标志者华为的全场景战略已经从家庭扩展到工业、汽车领域、医疗、能源、本土工业等...[详细]
NVIDIA AI GPU供不应求，顶级H100代工大单富士康抢下9成

ChatGPT全球爆红，相关供应链表示，NVIDIA几乎垄断目前最红的AI GPU市场，获益最大，其次为独拿晶圆代工订单的台积电。而A100/A800/H100的系统代工为纬创及富士康，虽然量能与营收贡献难以抵销疲弱的手机、PC等消费性电子，但至少为寒冬注入一股暖流，2023年下半没那麽冷。 NVIDIA预估2Q23营收持续成长 NVIDIA不仅游戏GPU库存清得快，更受惠生...[详细]
51IO输出测试代码

#include sbit LED1=P2^0; void Delay(unsigned int a); void main() { while(1) { LED1=0;//点亮 Delay(5000); LED1=1; Delay(5000); } } void Delay(unsigned int a)//0~65535 { unsigned char b; for(;a 0;a--...[详细]
高通发布了骁龙870 5G移动平台基于骁龙865 Plus打造

新浪数码讯 1月20日早间消息，高通技术公司宣布推出高通骁龙870 5G移动平台，该芯片为骁龙865 Plus移动平台的升级产品，增强了高通Kryo 585 CPU，大核主频达到3.2GHz。　　骁龙870 5G移动平台基于7纳米工艺，CPU包含一颗A77（3.19GHz）超大核，三颗A77（2.42GHz）大核以及四颗 A55（1.8GHz）小核。其他方面和骁龙865 Plus一致，5...[详细]
吉港一号，咱东北银的CPU，杠杠滴

CPU一直以来被视为集成电路设计领域的两弹一星级技术，我国企业掌握此技术的时间也不过10年左右，而在电子业薄弱的东北，如今也迎来了东北第一颗32位CPU“吉湾一号”。8月27日，记者来到了“吉湾一号”CPU的诞生地——东北亚文化创意科技园，一探其成长过程。 CPU的国产化是保障国家信息安全的重要基础中国于2006年将“核高基”（核心电子器件、高端通用芯片、基础软件）列为与载人航天、探月...[详细]
视频社交3.0：即时视频+在线游戏

　　在线等，有个高颜值女生邀请你一起视频聊天，听到这个这信息有木有很心动，没错，这就是最近俘获了一大批95后及00后等网络生力军的视频社交，不用再费心猜测对方的性别和长相，一切眼见为实;不用再苦心揣测对方的喜怒哀乐，一颦一笑真实可见。直观、高效、交互，让视频社交登入社交场后便迅速走红。下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧。　　作为移动社交的新宠，视频社交被推向风口的同时也给用户带来了极...[详细]
苹果也要玩起折叠模式？两块屏幕连接无刘海

传说中的可折叠iPhone 据著名爆料人乔恩·普罗瑟（Jon Prosser）透露，苹果正在开发一款可折叠的iPhone原型机，它的特点是将两个独立的显示面板通过铰链连接，而不是像三星Galaxy Fold那样只有一块屏。爆料人乔恩·普罗瑟推特这款可折叠的iPhone在设计语言上和目前的iPhone 11差不多，机身拥有圆...[详细]
缤特力全新商务系列耳机，助减少现代办公环境的噪声

随着开放式办公效率受到不断影响，世界领先的专业及消费类语音通讯产品制造商缤特力（ Plantronics ）推出全新的Voyager 4200 UC系列商务耳机，旨在减少开放式办公的干扰和噪音，帮助员工提高工作效率。全新Voyager4200UC系列无线耳机让开放式办公室的职业人士，随时随地都能清晰地进行通话。据牛津经济研究所的一项最新调查显示，当前，近三分之二的员工因缺乏安静空...[详细]
ARM Cortex-M3 学习笔记(1)

最近在学ARM Cortex-M3，找了本号称很经典的书 An Definitive Guide to The ARM Cortex-M3 在看。这个系列学习笔记其实就是在学习这本书的过程中做的读书笔记。第一章简介这一章的内容主要是介绍Cortex-M3内核是如何的强悍。还顺带着介绍了ARM系列的发展历史和路线。 ARM公司成立于1990年，ARM公司是Advanced RISC Ma...[详细]
以C8051F020单片机为系统控制器件的实时检测和记录车辆散热系统动态参数电路设计

1 引言车辆的系统散热性是衡量其先进性的一个重要标志，因为车辆的各个部件和系统都存在一个最佳的工作温度区间，在此温度范围内零部件的各项性能指标才能得以保证。目前，我国车辆系统的研制已进入自行研制、自主创新的发展阶段，由于缺乏实车试验测试条件，加上车辆工作环境的复杂性，导致有效的实车试验数据严重缺乏，试验周期长，数据可复现性差，无法向工程设计部门提供准确有效的实车试验数据，严重影响车辆总体技术的...[详细]
制作40W晶体管Hi-Fi功率放大器的原理

该放大器在较高的输出下能保持高保真的素质，可以对4Ω／8Ω的负载提供2×73／44瓦的输出功率，失调电压小于土40mV，输入阻抗为100kΩ，谐波失真小于0．015％，互调失真小于0.02％，频率范围为10Hz一30kHz(土2dB)，信噪比在100mW输出时大于72dB。电路原理这里只给出其中一个声道的原理和制作过程．图l是其电路原理，输入信号由晶体管T1的基极引入，T1和T2...[详细]
SCI接口数据格式

　　SCI的接收和发送数据都采用非归零数据格式，具体包括：　　●1位启动位。　　●1～8位数据。　　●1个奇／偶校验位（可选择）。　　●1或2位停止位。　　●区分数据和地址的附加位（仅在地址位模式存在）。　　数据的基本单元称为字符，它有1～8位长。每个字符包含1位启动位、1或2位停止位、可选择的奇偶校验位和地址位。在SCI通信中，带有格式信息的数据字符叫帧，如图1...[详细]
LED点阵显示屏的系统设计方案

伴随科技的迅猛发展，传统电视、报纸和杂志媒体的发展已落后于户外媒体的发展，这里我们将为您介绍点阵LED点阵显示屏的系统设计方案。 LED点阵显示屏的组成 LED点阵显示屏 LED点阵显示屏的组成：由多个LED发光二极管封装在一起组成，是一种新兴的显示器件。为了说明LED点阵显示的原理，以单片机为控制核心，设计和制作了一种包含硬件和软件两部分的显示系统。该电路通过按键控制可实现任意多个...[详细]
高通20纳米制程进度

高通(Qualcomm)已在2014年第2季提前宣布将采用最新的台积电20奈米制程技术，8核及4核64位元手机晶片解决方案将在2014年底前问世，并在2015年上半配合客户导入量产。高通指出，骁龙(Snpadragon)平台旗下最高阶的800系列手机晶片产品线将在2014年下半新推出代号810及808的处理器，其中，Snapdragon 810是采8核心64位元处理器，锁定全球...[详细]
Small RTOS51中的一个典型问题及其解决方法

Small RTOS5l是一款专门为80C5l系列单片机设计的实时操作系统(实际上应该称其为实时内核)，大部分代码用C语言编写，易于移植，十分适合于资源紧张的8位机。同时，它也是学习嵌入式操作系统原理极好的入门材料。本人就是在学习完SmallRTOS5l的基础上进一步学习了著名的uC／0S-II，受益颇多。 1 问题描述在将Smau RTOS51应用于实验室某项目时，发现了一个奇怪的问题。...[详细]

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多