FIFO, 8KX9, 15ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, LCC-32
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Cypress(赛普拉斯) |
| 零件包装代码 | QFJ |
| 包装说明 | LCC-32 |
| 针数 | 32 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Is Samacsys | N |
| 最长访问时间 | 15 ns |
| 其他特性 | RETRANSMIT |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 33.3 MHz |
| 周期时间 | 30 ns |
| JESD-30 代码 | R-CQCC-N32 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 13.97 mm |
| 内存密度 | 73728 bit |
| 内存集成电路类型 | OTHER FIFO |
| 内存宽度 | 9 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 8192 words |
| 字数代码 | 8000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 8KX9 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 可输出 | NO |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | QCCN |
| 封装等效代码 | LCC32,.45X.55 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 座面最大高度 | 2.286 mm |
| 最大待机电流 | 0.025 A |
| 最大压摆率 | 0.18 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 宽度 | 11.43 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| CY7C460-15LMB | CY7C460-15DMB | CY7C464-15LMB | CY7C462-15DMB | CY7C464-15DMB | CY7C462-15LMB | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | FIFO, 8KX9, 15ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, LCC-32 | FIFO, 8KX9, 15ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28 | FIFO, 32KX9, 15ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, LCC-32 | FIFO, 16KX9, 15ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28 | FIFO, 32KX9, 15ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, CERDIP-28 | FIFO, 16KX9, 15ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32, LCC-32 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) |
| 零件包装代码 | QFJ | DIP | QFJ | DIP | DIP | QFJ |
| 包装说明 | LCC-32 | 0.600 INCH, CERDIP-28 | LCC-32 | 0.600 INCH, CERDIP-28 | 0.600 INCH, CERDIP-28 | LCC-32 |
| 针数 | 32 | 28 | 32 | 28 | 28 | 32 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | compliant | not_compliant | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 15 ns | 15 ns | 15 ns | 15 ns | 15 ns | 15 ns |
| 其他特性 | RETRANSMIT | RETRANSMIT | RETRANSMIT | RETRANSMIT | RETRANSMIT | RETRANSMIT |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 33.3 MHz | 33.3 MHz | 33.3 MHz | 33.3 MHz | 33.3 MHz | 33.3 MHz |
| 周期时间 | 30 ns | 30 ns | 30 ns | 30 ns | 30 ns | 30 ns |
| JESD-30 代码 | R-CQCC-N32 | R-GDIP-T28 | R-CQCC-N32 | R-GDIP-T28 | R-GDIP-T28 | R-CQCC-N32 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 长度 | 13.97 mm | 37.338 mm | 13.97 mm | 37.338 mm | 37.338 mm | 13.97 mm |
| 内存密度 | 73728 bit | 73728 bit | 294912 bit | 147456 bit | 294912 bit | 147456 bit |
| 内存集成电路类型 | OTHER FIFO | OTHER FIFO | OTHER FIFO | OTHER FIFO | OTHER FIFO | OTHER FIFO |
| 内存宽度 | 9 | 9 | 9 | 9 | 9 | 9 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 32 | 28 | 32 | 28 | 28 | 32 |
| 字数 | 8192 words | 8192 words | 32768 words | 16384 words | 32768 words | 16384 words |
| 字数代码 | 8000 | 8000 | 32000 | 16000 | 32000 | 16000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 组织 | 8KX9 | 8KX9 | 32KX9 | 16KX9 | 32KX9 | 16KX9 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 可输出 | NO | NO | NO | NO | NO | NO |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | QCCN | DIP | QCCN | DIP | DIP | QCCN |
| 封装等效代码 | LCC32,.45X.55 | DIP28,.6 | LCC32,.45X.55 | DIP28,.6 | DIP28,.6 | LCC32,.45X.55 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | IN-LINE | CHIP CARRIER | IN-LINE | IN-LINE | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B |
| 座面最大高度 | 2.286 mm | 5.715 mm | 2.286 mm | 5.715 mm | 5.715 mm | 2.286 mm |
| 最大待机电流 | 0.025 A | 0.025 A | 0.025 A | 0.025 A | 0.025 A | 0.025 A |
| 最大压摆率 | 0.18 mA | 0.18 mA | 0.18 mA | 0.18 mA | 0.18 mA | 0.18 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | NO | YES | NO | NO | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | NO LEAD | THROUGH-HOLE | NO LEAD | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | NO LEAD |
| 端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm | 1.27 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD | DUAL | QUAD | DUAL | DUAL | QUAD |
| 宽度 | 11.43 mm | 15.24 mm | 11.43 mm | 15.24 mm | 15.24 mm | 11.43 mm |
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