Silicon Power Schottky Diode
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | GeneSiC |
Reach Compliance Code | compli |
应用 | POWER |
配置 | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 0.84 V |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
最大非重复峰值正向电流 | 600 A |
元件数量 | 2 |
相数 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
最大输出电流 | 35 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
最大重复峰值反向电压 | 80 V |
最大反向电流 | 1000 µA |
表面贴装 | NO |
技术 | SCHOTTKY |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
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