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TSS42L-F0RWG

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小169KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
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TSS42L-F0RWG概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon,

TSS42L-F0RWG规格参数

参数名称属性值
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明R-PBCC-N2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PBCC-N2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
最大功率耗散0.2 W
最大重复峰值反向电压30 V
最大反向恢复时间0.005 µs
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM

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TSS42L/TSS43L
Taiwan Semiconductor
Small Signal Product
Surface Mount Schottky
FEATURES
- Designed for mounting on small surface
- Extremely thin / leadless package
- Low capacitance
- Low forward voltage drop
- Packing code with suffix "G" means
green compound (halogen-free)
1005
MECHANICAL DATA
- Case: 1005
- Terminal: Gold plated, solderable per
MIL-STD-750, method 2026
- Polarity: Indicated by cathode band
- Weight: 6 mg (approximately)
- Marking code:
TSS42L: BD
TSS43L: BE
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25°C unless otherwise noted)
PARAMETER
Repetitive Peak Reverse Voltage
Reverse Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Forward Current
Repetitive Peak Forward Current
Peak Forward Surge Current 8.3ms Single Half
Sine-Wave Superimposed on Rate Load
Power Dissipation
Forward Voltage
TSS42L/43L I
F
= 200 mA
TSS42L
TSS42L
TSS43L
Reverse Leakage Current
TSS43L
V
R
= 25 V
I
F
= 10 mA
I
F
= 50 mA
I
F
= 2 mA
I
F
= 15 mA
I
R
C
J
t
rr
T
J
T
STG
V
F
SYMBOL
V
RRM
V
R
V
R(RMS)
I
O
I
FRM
I
FSM
Pd
VALUE
30
30
21
200
0.5
400
200
1.00
0.40
0.65
0.33
0.45
0.5
10
5
-55 to + 125
-55 to + 125
μA
pF
ns
o
o
UNIT
V
V
V
mA
A
mA
mW
V
Typical Capacitance Between Terminals
( V
R
=1V, f=1.0MHz )
Reverse Recovery Time
( I
F
=I
R
=10mA, Irr=0.1×I
R
, R
L
=100Ω)
Junction Temperature
Storage Temperature
C
C
Document Number: DS_S1411010
Version: C14

TSS42L-F0RWG相似产品对比

TSS42L-F0RWG TSS42L RWG TSS43L-F0RWG
描述 Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, DIODE SCHOTTKY 30V 200A 1005 Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon,
二极管类型 RECTIFIER DIODE 肖特基 RECTIFIER DIODE
厂商名称 Taiwan Semiconductor - Taiwan Semiconductor
包装说明 R-PBCC-N2 - R-PBCC-N2
Reach Compliance Code compliant - compliant
ECCN代码 EAR99 - EAR99
配置 SINGLE - SINGLE
二极管元件材料 SILICON - SILICON
JESD-30 代码 R-PBCC-N2 - R-PBCC-N2
元件数量 1 - 1
端子数量 2 - 2
最高工作温度 125 °C - 125 °C
最低工作温度 -55 °C - -55 °C
最大输出电流 0.2 A - 0.2 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER - CHIP CARRIER
最大功率耗散 0.2 W - 0.2 W
最大重复峰值反向电压 30 V - 30 V
最大反向恢复时间 0.005 µs - 0.005 µs
表面贴装 YES - YES
技术 SCHOTTKY - SCHOTTKY
端子形式 NO LEAD - NO LEAD
端子位置 BOTTOM - BOTTOM
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