电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

TSS42L RWG

产品描述DIODE SCHOTTKY 30V 200A 1005
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小169KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

TSS42L RWG概述

DIODE SCHOTTKY 30V 200A 1005

TSS42L RWG规格参数

参数名称属性值
二极管类型肖特基
电压 - DC 反向(Vr)(最大值)30V
电流 - 平均整流(Io)200mA
不同 If 时的电压 - 正向(Vf650mV @ 50mA
速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr)5ns
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流500nA @ 25V
不同 Vr,F 时的电容10pF @ 1V,1MHz
安装类型表面贴装
封装/外壳1005(2512 公制)
供应商器件封装1005
工作温度 - 结-55°C ~ 125°C

文档预览

下载PDF文档
TSS42L/TSS43L
Taiwan Semiconductor
Small Signal Product
Surface Mount Schottky
FEATURES
- Designed for mounting on small surface
- Extremely thin / leadless package
- Low capacitance
- Low forward voltage drop
- Packing code with suffix "G" means
green compound (halogen-free)
1005
MECHANICAL DATA
- Case: 1005
- Terminal: Gold plated, solderable per
MIL-STD-750, method 2026
- Polarity: Indicated by cathode band
- Weight: 6 mg (approximately)
- Marking code:
TSS42L: BD
TSS43L: BE
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25°C unless otherwise noted)
PARAMETER
Repetitive Peak Reverse Voltage
Reverse Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Forward Current
Repetitive Peak Forward Current
Peak Forward Surge Current 8.3ms Single Half
Sine-Wave Superimposed on Rate Load
Power Dissipation
Forward Voltage
TSS42L/43L I
F
= 200 mA
TSS42L
TSS42L
TSS43L
Reverse Leakage Current
TSS43L
V
R
= 25 V
I
F
= 10 mA
I
F
= 50 mA
I
F
= 2 mA
I
F
= 15 mA
I
R
C
J
t
rr
T
J
T
STG
V
F
SYMBOL
V
RRM
V
R
V
R(RMS)
I
O
I
FRM
I
FSM
Pd
VALUE
30
30
21
200
0.5
400
200
1.00
0.40
0.65
0.33
0.45
0.5
10
5
-55 to + 125
-55 to + 125
μA
pF
ns
o
o
UNIT
V
V
V
mA
A
mA
mW
V
Typical Capacitance Between Terminals
( V
R
=1V, f=1.0MHz )
Reverse Recovery Time
( I
F
=I
R
=10mA, Irr=0.1×I
R
, R
L
=100Ω)
Junction Temperature
Storage Temperature
C
C
Document Number: DS_S1411010
Version: C14

TSS42L RWG相似产品对比

TSS42L RWG TSS42L-F0RWG TSS43L-F0RWG
描述 DIODE SCHOTTKY 30V 200A 1005 Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon,
二极管类型 肖特基 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
厂商名称 - Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor
包装说明 - R-PBCC-N2 R-PBCC-N2
Reach Compliance Code - compliant compliant
ECCN代码 - EAR99 EAR99
配置 - SINGLE SINGLE
二极管元件材料 - SILICON SILICON
JESD-30 代码 - R-PBCC-N2 R-PBCC-N2
元件数量 - 1 1
端子数量 - 2 2
最高工作温度 - 125 °C 125 °C
最低工作温度 - -55 °C -55 °C
最大输出电流 - 0.2 A 0.2 A
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - CHIP CARRIER CHIP CARRIER
最大功率耗散 - 0.2 W 0.2 W
最大重复峰值反向电压 - 30 V 30 V
最大反向恢复时间 - 0.005 µs 0.005 µs
表面贴装 - YES YES
技术 - SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 - NO LEAD NO LEAD
端子位置 - BOTTOM BOTTOM

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2447  1354  1245  1598  1248  55  26  39  14  44 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved