Datasheet> 器件分类 > 模拟混合信号IC> 放大器电路> LTC1101ACN8

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LTC1101ACN8: 产品描述IC INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 160 uV OFFSET-MAX, 0.022 MHz BAND WIDTH, PDIP8, PLASTIC, DIP-8, Instrumentation Amplifier; 产品类别模拟混合信号IC 放大器电路; 文件大小57KB，共1页; 制造商Linear ( ADI ); 官网地址http://www.analog.com/cn/index.html

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LTC1101ACN8概述

IC INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 160 uV OFFSET-MAX, 0.022 MHz BAND WIDTH, PDIP8, PLASTIC, DIP-8, Instrumentation Amplifier

LTC1101ACN8规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Linear ( ADI )
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP,
针数	8
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
放大器类型	INSTRUMENTATION AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)	0.008 µA
标称带宽 (3dB)	0.022 MHz
最小共模抑制比	95 dB
最大输入失调电压	160 µV
JESD-30 代码	R-PDIP-T8
JESD-609代码	e0
最大非线性	0.0008%
功能数量	1
端子数量	8
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.937 mm
标称压摆率	0.06 V/us
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
最大电压增益	100
最小电压增益	10
宽度	7.62 mm

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	LTC1101ACN8	LTC1101ACN8#PBF	LTC1101ACJ8	LTC1102ACN8	LTC1102ACN8#PBF
描述	IC INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 160 uV OFFSET-MAX, 0.022 MHz BAND WIDTH, PDIP8, PLASTIC, DIP-8, Instrumentation Amplifier	IC INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 160 uV OFFSET-MAX, 0.022 MHz BAND WIDTH, PDIP8, PLASTIC, DIP-8, Instrumentation Amplifier	IC INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 160 uV OFFSET-MAX, 0.022 MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERAMIC, DIP-8, Instrumentation Amplifier	IC INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 600 uV OFFSET-MAX, 2 MHz BAND WIDTH, PDIP8, PLASTIC, DIP-8, Instrumentation Amplifier	IC INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 600 uV OFFSET-MAX, 2 MHz BAND WIDTH, PDIP8, PLASTIC, DIP-8, Instrumentation Amplifier
是否Rohs认证	不符合	符合	不符合	不符合	符合
厂商名称	Linear ( ADI )	Linear ( ADI )	Linear ( ADI )	Linear ( ADI )	Linear ( ADI )
零件包装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
包装说明	DIP,	DIP,	CERAMIC, DIP-8	DIP,	DIP,
针数	8	8	8	8	8
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
放大器类型	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	INSTRUMENTATION AMPLIFIER	INSTRUMENTATION AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)	0.008 µA	0.008 µA	0.008 µA	0.00004 µA	0.00004 µA
标称带宽 (3dB)	0.022 MHz	0.022 MHz	0.022 MHz	2 MHz	2 MHz
最小共模抑制比	95 dB	95 dB	95 dB	84 dB	84 dB
最大输入失调电压	160 µV	160 µV	160 µV	600 µV	600 µV
JESD-30 代码	R-PDIP-T8	R-PDIP-T8	R-GDIP-T8	R-PDIP-T8	R-PDIP-T8
JESD-609代码	e0	e3	e0	e0	e3
最大非线性	0.0008%	0.0008%	0.0008%	0.0014%	0.0014%
功能数量	1	1	1	1	1
端子数量	8	8	8	8	8
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC, GLASS-SEALED	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	3.937 mm	3.937 mm	5.08 mm	3.937 mm	3.937 mm
标称压摆率	0.06 V/us	0.06 V/us	0.06 V/us	21 V/us	21 V/us
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	15 V	15 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD	MATTE TIN	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN LEAD	MATTE TIN
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
最大电压增益	100	100	100	100	100
最小电压增益	10	10	10	10	10
宽度	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm
是否无铅	含铅	不含铅	-	含铅	不含铅
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	250	-	NOT SPECIFIED	250
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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