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LTC1101ACN8#PBF

产品描述IC INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 160 uV OFFSET-MAX, 0.022 MHz BAND WIDTH, PDIP8, PLASTIC, DIP-8, Instrumentation Amplifier
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小57KB,共1页
制造商Linear ( ADI )
官网地址http://www.analog.com/cn/index.html
标准  
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LTC1101ACN8#PBF概述

IC INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 160 uV OFFSET-MAX, 0.022 MHz BAND WIDTH, PDIP8, PLASTIC, DIP-8, Instrumentation Amplifier

LTC1101ACN8#PBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Linear ( ADI )
零件包装代码DIP
包装说明DIP,
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
放大器类型INSTRUMENTATION AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)0.008 µA
标称带宽 (3dB)0.022 MHz
最小共模抑制比95 dB
最大输入失调电压160 µV
JESD-30 代码R-PDIP-T8
JESD-609代码e3
最大非线性0.0008%
功能数量1
端子数量8
最高工作温度70 °C
最低工作温度
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)250
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.937 mm
标称压摆率0.06 V/us
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层MATTE TIN
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压增益100
最小电压增益10
宽度7.62 mm

LTC1101ACN8#PBF相似产品对比

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描述 IC INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 160 uV OFFSET-MAX, 0.022 MHz BAND WIDTH, PDIP8, PLASTIC, DIP-8, Instrumentation Amplifier IC INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 160 uV OFFSET-MAX, 0.022 MHz BAND WIDTH, PDIP8, PLASTIC, DIP-8, Instrumentation Amplifier IC INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 160 uV OFFSET-MAX, 0.022 MHz BAND WIDTH, CDIP8, CERAMIC, DIP-8, Instrumentation Amplifier IC INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 600 uV OFFSET-MAX, 2 MHz BAND WIDTH, PDIP8, PLASTIC, DIP-8, Instrumentation Amplifier IC INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 600 uV OFFSET-MAX, 2 MHz BAND WIDTH, PDIP8, PLASTIC, DIP-8, Instrumentation Amplifier
是否Rohs认证 符合 不符合 不符合 不符合 符合
厂商名称 Linear ( ADI ) Linear ( ADI ) Linear ( ADI ) Linear ( ADI ) Linear ( ADI )
零件包装代码 DIP DIP DIP DIP DIP
包装说明 DIP, DIP, CERAMIC, DIP-8 DIP, DIP,
针数 8 8 8 8 8
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
放大器类型 INSTRUMENTATION AMPLIFIER INSTRUMENTATION AMPLIFIER INSTRUMENTATION AMPLIFIER INSTRUMENTATION AMPLIFIER INSTRUMENTATION AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB) 0.008 µA 0.008 µA 0.008 µA 0.00004 µA 0.00004 µA
标称带宽 (3dB) 0.022 MHz 0.022 MHz 0.022 MHz 2 MHz 2 MHz
最小共模抑制比 95 dB 95 dB 95 dB 84 dB 84 dB
最大输入失调电压 160 µV 160 µV 160 µV 600 µV 600 µV
JESD-30 代码 R-PDIP-T8 R-PDIP-T8 R-GDIP-T8 R-PDIP-T8 R-PDIP-T8
JESD-609代码 e3 e0 e0 e0 e3
最大非线性 0.0008% 0.0008% 0.0008% 0.0014% 0.0014%
功能数量 1 1 1 1 1
端子数量 8 8 8 8 8
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY CERAMIC, GLASS-SEALED PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP DIP DIP DIP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 3.937 mm 3.937 mm 5.08 mm 3.937 mm 3.937 mm
标称压摆率 0.06 V/us 0.06 V/us 0.06 V/us 21 V/us 21 V/us
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 15 V 15 V
表面贴装 NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 MATTE TIN TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD MATTE TIN
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
最大电压增益 100 100 100 100 100
最小电压增益 10 10 10 10 10
宽度 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm
是否无铅 不含铅 含铅 - 含铅 不含铅
峰值回流温度(摄氏度) 250 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED 250
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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