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QM600HA-2HB

产品描述Power Bipolar Transistor, 600A I(C), 1-Element, NPN, Silicon
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小140KB,共1页
制造商Mitsubishi(日本三菱)
官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/
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QM600HA-2HB概述

Power Bipolar Transistor, 600A I(C), 1-Element, NPN, Silicon

QM600HA-2HB规格参数

参数名称属性值
厂商名称Mitsubishi(日本三菱)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)600 A
配置COMPLEX
最小直流电流增益 (hFE)750
元件数量1
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
晶体管元件材料SILICON

QM600HA-2HB相似产品对比

QM600HA-2HB QM20HA-HB QM600HA-24 QM600HA-2H QM600HA-24B
描述 Power Bipolar Transistor, 600A I(C), 1-Element, NPN, Silicon Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, MODULE-3 Power Bipolar Transistor, 600A I(C), 3-Element, NPN, Silicon, Power Bipolar Transistor, 600A I(C), 3-Element, NPN, Silicon Power Bipolar Transistor, 600A I(C), 1-Element, NPN, Silicon
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 600 A 20 A 600 A 600 A 600 A
配置 COMPLEX DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR COMMON COLLECTOR, 3 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR COMMON COLLECTOR, 3 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR COMPLEX
最小直流电流增益 (hFE) 750 250 75 75 750
元件数量 1 1 3 3 1
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
厂商名称 Mitsubishi(日本三菱) - Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱) Mitsubishi(日本三菱)
其他特性 - BUILT IN BIAS RESISTOR BUILT IN BIAS RESISTORS BUILT IN BIAS RESISTORS -
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