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IDT7273L35LB

产品描述Bi-Directional FIFO, 2KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32
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文件大小573KB,共10页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7273L35LB概述

Bi-Directional FIFO, 2KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32

IDT7273L35LB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间35 ns
最大时钟频率 (fCLK)22.2 MHz
JESD-30 代码R-XQCC-N32
JESD-609代码e0
内存密度18432 bit
内存集成电路类型BI-DIRECTIONAL FIFO
内存宽度9
端子数量32
字数2048 words
字数代码2000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织2KX9
封装主体材料CERAMIC
封装代码QCCN
封装等效代码LCC32,.45X.55
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)260
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流0.012 A
最大压摆率0.15 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间6

IDT7273L35LB相似产品对比

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描述 Bi-Directional FIFO, 2KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32 Bi-Directional FIFO, 1KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32 Bi-Directional FIFO, 1KX9, 50ns, Asynchronous, CMOS, PDIP32 Bi-Directional FIFO, 2KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PDIP32 Bi-Directional FIFO, 2KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, CQCC32 Bi-Directional FIFO, 2KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PDIP32 Bi-Directional FIFO, 2KX9, 35ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32 Bi-Directional FIFO, 1KX9, 50ns, Asynchronous, CMOS, PDIP32 Bi-Directional FIFO, 1KX9, 20ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 35 ns 35 ns 50 ns 35 ns 35 ns 35 ns 35 ns 50 ns 20 ns
最大时钟频率 (fCLK) 22.2 MHz 22.2 MHz 15.4 MHz 22.2 MHz 22.2 MHz 22.2 MHz 22.2 MHz 15.4 MHz 33.3 MHz
JESD-30 代码 R-XQCC-N32 R-XQCC-N32 R-PDIP-T32 R-PDIP-T32 R-XQCC-N32 R-PDIP-T32 R-PQCC-J32 R-PDIP-T32 R-PQCC-J32
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 18432 bit 9216 bit 9216 bit 18432 bit 18432 bit 18432 bit 18432 bit 9216 bit 9216 bit
内存集成电路类型 BI-DIRECTIONAL FIFO BI-DIRECTIONAL FIFO BI-DIRECTIONAL FIFO BI-DIRECTIONAL FIFO BI-DIRECTIONAL FIFO BI-DIRECTIONAL FIFO BI-DIRECTIONAL FIFO BI-DIRECTIONAL FIFO BI-DIRECTIONAL FIFO
内存宽度 9 9 9 9 9 9 9 9 9
端子数量 32 32 32 32 32 32 32 32 32
字数 2048 words 1024 words 1024 words 2048 words 2048 words 2048 words 2048 words 1024 words 1024 words
字数代码 2000 1000 1000 2000 2000 2000 2000 1000 1000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 70 °C 70 °C 125 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 2KX9 1KX9 1KX9 2KX9 2KX9 2KX9 2KX9 1KX9 1KX9
封装主体材料 CERAMIC CERAMIC PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY CERAMIC PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 QCCN QCCN DIP DIP QCCN DIP QCCJ DIP QCCJ
封装等效代码 LCC32,.45X.55 LCC32,.45X.55 DIP32,.6 DIP32,.6 LCC32,.45X.55 DIP32,.6 LDCC32,.5X.6 DIP32,.6 LDCC32,.5X.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER IN-LINE IN-LINE CHIP CARRIER IN-LINE CHIP CARRIER IN-LINE CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260 260 260 225 260 225
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.012 A 0.012 A 0.008 A 0.008 A 0.012 A 0.008 A 0.008 A 0.008 A 0.008 A
最大压摆率 0.15 mA 0.15 mA 0.12 mA 0.12 mA 0.15 mA 0.12 mA 0.12 mA 0.12 mA 0.12 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES NO NO YES NO YES NO YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY COMMERCIAL COMMERCIAL MILITARY COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式 NO LEAD NO LEAD THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE NO LEAD THROUGH-HOLE J BEND THROUGH-HOLE J BEND
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 QUAD QUAD DUAL DUAL QUAD DUAL QUAD DUAL QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 6 6 6 6 6 6 30 6 30
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) - IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) -

 
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