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2N4221

产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-72, HERMETIC SEALED PACKAGGE-4
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小43KB,共1页
制造商Calogic
官网地址http://www.calogic.net/
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2N4221概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-72, HERMETIC SEALED PACKAGGE-4

2N4221规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-72
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W4
针数4
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
FET 技术JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)2 pF
最高频带VERY HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码TO-72
JESD-30 代码O-MBCY-W4
元件数量1
端子数量4
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.3 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

2N4221相似产品对比

2N4221 2N4220 X2N4221 2N4222 X2N4220 X2N4222
描述 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-72, HERMETIC SEALED PACKAGGE-4 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-72, HERMETIC SEALED PACKAGGE-4 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-72, HERMETIC SEALED PACKAGGE-4 RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
Reach Compliance Code compli compli compli compli compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
FET 技术 JUNCTION JUNCTION JUNCTION JUNCTION JUNCTION JUNCTION
最大反馈电容 (Crss) 2 pF 2 pF 2 pF 2 pF 2 pF 2 pF
最高频带 VERY HIGH FREQUENCY BAND VERY HIGH FREQUENCY BAND VERY HIGH FREQUENCY BAND VERY HIGH FREQUENCY BAND VERY HIGH FREQUENCY BAND VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 O-MBCY-W4 O-MBCY-W4 X-XUUC-N O-MBCY-W4 X-XUUC-N X-XUUC-N
元件数量 1 1 1 1 1 1
工作模式 DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C 200 °C
封装主体材料 METAL METAL UNSPECIFIED METAL UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 ROUND ROUND UNSPECIFIED ROUND UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL UNCASED CHIP CYLINDRICAL UNCASED CHIP UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.3 W 0.3 W 0.3 W 0.3 W 0.3 W 0.3 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO YES NO YES YES
端子形式 WIRE WIRE NO LEAD WIRE NO LEAD NO LEAD
端子位置 BOTTOM BOTTOM UPPER BOTTOM UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W4 CYLINDRICAL, O-MBCY-W4 UNCASED CHIP, X-XUUC-N CYLINDRICAL, O-MBCY-W4 UNCASED CHIP, X-XUUC-N -
Base Number Matches 1 1 1 1 1 -
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