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2N4220: 产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-72, HERMETIC SEALED PACKAGGE-4; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小43KB，共1页; 制造商Calogic; 官网地址http://www.calogic.net/; 标准

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2N4220概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-72, HERMETIC SEALED PACKAGGE-4

2N4220规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	TO-72
包装说明	CYLINDRICAL, O-MBCY-W4
针数	4
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
配置	SINGLE
FET 技术	JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)	2 pF
最高频带	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码	TO-72
JESD-30 代码	O-MBCY-W4
元件数量	1
端子数量	4
工作模式	DEPLETION MODE
最高工作温度	200 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	0.3 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	WIRE
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

2N4220相似产品对比

	2N4220	2N4221	X2N4221	2N4222	X2N4220	X2N4222
描述	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-72, HERMETIC SEALED PACKAGGE-4	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-72, HERMETIC SEALED PACKAGGE-4	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-72, HERMETIC SEALED PACKAGGE-4	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compli	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
FET 技术	JUNCTION	JUNCTION	JUNCTION	JUNCTION	JUNCTION	JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)	2 pF	2 pF	2 pF	2 pF	2 pF	2 pF
最高频带	VERY HIGH FREQUENCY BAND	VERY HIGH FREQUENCY BAND	VERY HIGH FREQUENCY BAND	VERY HIGH FREQUENCY BAND	VERY HIGH FREQUENCY BAND	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码	O-MBCY-W4	O-MBCY-W4	X-XUUC-N	O-MBCY-W4	X-XUUC-N	X-XUUC-N
元件数量	1	1	1	1	1	1
工作模式	DEPLETION MODE	DEPLETION MODE	DEPLETION MODE	DEPLETION MODE	DEPLETION MODE	DEPLETION MODE
最高工作温度	200 °C	200 °C	200 °C	200 °C	200 °C	200 °C
封装主体材料	METAL	METAL	UNSPECIFIED	METAL	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	ROUND	ROUND	UNSPECIFIED	ROUND	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	UNCASED CHIP	CYLINDRICAL	UNCASED CHIP	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	YES	NO	YES	YES
端子形式	WIRE	WIRE	NO LEAD	WIRE	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	UPPER	BOTTOM	UPPER	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
包装说明	CYLINDRICAL, O-MBCY-W4	CYLINDRICAL, O-MBCY-W4	UNCASED CHIP, X-XUUC-N	CYLINDRICAL, O-MBCY-W4	UNCASED CHIP, X-XUUC-N	-
Base Number Matches	1	1	1	1	1	-

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器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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