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JANTXV2N6849U: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.345ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小127KB，共22页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

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JANTXV2N6849U概述

Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.345ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18

JANTXV2N6849U规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
包装说明	CHIP CARRIER, R-CQCC-N15
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	165 mJ
外壳连接	SOURCE
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	6.5 A
最大漏极电流 (ID)	6.5 A
最大漏源导通电阻	0.345 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-CQCC-N15
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	15
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	25 A
认证状态	Qualified
参考标准	MIL-19500/564
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	NO LEAD
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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描述	Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.345ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18	Transistor	Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-3	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.68ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-39, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.68ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC-18	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.68ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC-18	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.68ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-39, 3 PIN	Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-3	Small Signal Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-3	Small Signal Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-3
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
包装说明	CHIP CARRIER, R-CQCC-N15	,	DIE-3	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	CHIP CARRIER, R-CQCC-N15	CHIP CARRIER, R-CQCC-N15	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	DIE-3	DIE-3	DIE-3
Reach Compliance Code	compli	unknow	compli	compli	compli	compli	compli	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	Single	SINGLE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最大漏极电流 (Abs) (ID)	6.5 A	6.5 A	4 A	4 A	4 A	4 A	4 A	4 A	6.5 A	6.5 A
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
极性/信道类型	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	25 W	25 W	25 W	25 W	25 W	25 W	25 W	25 W	25 W	25 W
表面贴装	YES	YES	YES	NO	YES	YES	NO	YES	YES	YES
外壳连接	SOURCE	-	DRAIN	-	SOURCE	SOURCE	-	DRAIN	DRAIN	DRAIN
最小漏源击穿电压	100 V	-	200 V	200 V	200 V	200 V	200 V	200 V	100 V	100 V
最大漏极电流 (ID)	6.5 A	-	4 A	4 A	4 A	4 A	4 A	4 A	6.5 A	6.5 A
JESD-30 代码	R-CQCC-N15	-	R-XUUC-N3	O-MBCY-W3	R-CQCC-N15	R-CQCC-N15	O-MBCY-W3	R-XUUC-N3	R-XUUC-N3	R-XUUC-N3
JESD-609代码	e0	e0	-	e0	e0	e0	e0	e0	e0	-
元件数量	1	-	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	15	-	3	3	15	15	3	3	3	3
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	-	UNSPECIFIED	METAL	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	METAL	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	ROUND	RECTANGULAR	RECTANGULAR	ROUND	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	-	UNCASED CHIP	CYLINDRICAL	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CYLINDRICAL	UNCASED CHIP	UNCASED CHIP	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Qualified	-	Qualified	Qualified	Qualified	Qualified	Qualified	Qualified	Qualified	Qualified
参考标准	MIL-19500/564	-	MIL-19500/564F	MIL-19500/564	MIL-19500/564	MIL-19500/564	MIL-19500/564	MIL-19500/564F	MIL-19500/564F	MIL-19500/564F
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-
端子形式	NO LEAD	-	NO LEAD	WIRE	NO LEAD	NO LEAD	WIRE	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	QUAD	-	UPPER	BOTTOM	QUAD	QUAD	BOTTOM	UPPER	UPPER	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	-	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	-	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	-	-	-

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