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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> JANTXV2N6851
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JANTXV2N6851

产品描述Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.68ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-39, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小127KB，共22页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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JANTXV2N6851概述

Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.68ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-39, 3 PIN

JANTXV2N6851规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）75 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)4 A
最大漏极电流 (ID)4 A
最大漏源导通电阻1.68 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-205AF
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)16 A
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/564
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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描述 Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.68ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-39, 3 PIN Transistor Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-3 Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.345ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.68ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC-18 Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.68ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC-18 Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.68ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-39, 3 PIN Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-3 Small Signal Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-3 Small Signal Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DIE-3
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 , DIE-3 CHIP CARRIER, R-CQCC-N15 CHIP CARRIER, R-CQCC-N15 CHIP CARRIER, R-CQCC-N15 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 DIE-3 DIE-3 DIE-3
Reach Compliance Code compli unknow compli compli compli compli compli unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Single SINGLE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE SINGLE SINGLE
最大漏极电流 (Abs) (ID) 4 A 6.5 A 4 A 6.5 A 4 A 4 A 4 A 4 A 6.5 A 6.5 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 25 W 25 W 25 W 25 W 25 W 25 W 25 W 25 W 25 W 25 W
表面贴装 NO YES YES YES YES YES NO YES YES YES
最小漏源击穿电压 200 V - 200 V 100 V 200 V 200 V 200 V 200 V 100 V 100 V
最大漏极电流 (ID) 4 A - 4 A 6.5 A 4 A 4 A 4 A 4 A 6.5 A 6.5 A
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 - R-XUUC-N3 R-CQCC-N15 R-CQCC-N15 R-CQCC-N15 O-MBCY-W3 R-XUUC-N3 R-XUUC-N3 R-XUUC-N3
JESD-609代码 e0 e0 - e0 e0 e0 e0 e0 e0 -
元件数量 1 - 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 - 3 15 15 15 3 3 3 3
封装主体材料 METAL - UNSPECIFIED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED METAL UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 ROUND - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR ROUND RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CYLINDRICAL - UNCASED CHIP CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CYLINDRICAL UNCASED CHIP UNCASED CHIP UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Qualified - Qualified Qualified Qualified Qualified Qualified Qualified Qualified Qualified
参考标准 MIL-19500/564 - MIL-19500/564F MIL-19500/564 MIL-19500/564 MIL-19500/564 MIL-19500/564 MIL-19500/564F MIL-19500/564F MIL-19500/564F
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) -
端子形式 WIRE - NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD WIRE NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 BOTTOM - UPPER QUAD QUAD QUAD BOTTOM UPPER UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING - SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON - SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1 - - -
外壳连接 - - DRAIN SOURCE SOURCE SOURCE - DRAIN DRAIN DRAIN

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