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2N6058LEADFREE: 产品描述Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小487KB，共2页; 制造商Central Semiconductor; 标准

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2N6058LEADFREE概述

Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN

2N6058LEADFREE规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	TO-204AA
包装说明	TO-3, 2 PIN
针数	2
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	EAR99
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	12 A
集电极-发射极最大电压	80 V
配置	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)	750
JEDEC-95代码	TO-3
JESD-30 代码	O-MBFM-P2
JESD-609代码	e3
元件数量	1
端子数量	2
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	MATTE TIN (315)
端子形式	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	10
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	4 MHz
Base Number Matches	1

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描述	Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN	Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN	Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN	Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN	Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN	Power Bipolar Transistor, 12A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, TO-3, 2 PIN
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合
零件包装代码	TO-204AA	TO-204AA	TO-204AA	TO-204AA	TO-204AA	TO-204AA
包装说明	TO-3, 2 PIN	TO-3, 2 PIN	TO-3, 2 PIN	TO-3, 2 PIN	TO-3, 2 PIN	TO-3, 2 PIN
针数	2	2	2	2	2	2
Reach Compliance Code	_compli	_compli	_compli	_compli	_compli	_compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
外壳连接	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	12 A	12 A	12 A	12 A	12 A	12 A
集电极-发射极最大电压	80 V	100 V	60 V	80 V	100 V	60 V
配置	DARLINGTON	DARLINGTON	DARLINGTON	DARLINGTON	DARLINGTON	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)	750	750	750	750	750	750
JEDEC-95代码	TO-3	TO-3	TO-3	TO-3	TO-3	TO-3
JESD-30 代码	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2
JESD-609代码	e3	e3	e3	e3	e3	e3
元件数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2	2	2
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260
极性/信道类型	NPN	NPN	PNP	PNP	PNP	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子面层	MATTE TIN (315)	MATTE TIN (315)	MATTE TIN (315)	MATTE TIN (315)	MATTE TIN (315)	MATTE TIN (315)
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	10	10	10	10	10	10
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	4 MHz	4 MHz	4 MHz	4 MHz	4 MHz	4 MHz
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1

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