OM460NK: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3, HERMETIC SEALED, TO-3, 2 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小31KB，共4页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/

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OM460NK概述

Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3, HERMETIC SEALED, TO-3, 2 PIN

OM460NK规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	TO-204AA
包装说明	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数	2
Reach Compliance Code	compliant
其他特性	HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）	1200 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	22 A
最大漏极电流 (ID)	22 A
最大漏源导通电阻	0.25 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-3
JESD-30 代码	O-MBFM-P2
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	200 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	85 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	TIN LEAD
端子形式	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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OM360NK OM10N100NK

OM460NK

POWER MOSFETS IN A TO-3 PACKAGE

400V Thru 1000V, N-Channel

Size 6 MOSFETs, High Energy Capability

FEATURES

•

TO-3 Package Hermetic, .060 Dia. Leads

Size 6 Die, High Energy

Fast Switching, Low Drive Current

Low R

DS(on)

Available Screened To MIL-S-19500, TX, TXV And S Levels

DESCRIPTION

This series of hermetically packaged products feature the latest advanced MOSFET

and packaging technology. They are ideally suited for Military requirements where

small size, high performance and high reliability are required, and in applications such

as switching power supplies, motor controls, inverters, choppers, audio amplifiers and

high energy pulse circuits. This series also features avalanche high energy capability

at elevated temperatures.

MAXIMUM RATINGS

PART NUMBER

OM360NK

OM460NK

OM10N100NK

(V)

400

500

1000

DS(on)

( )

.20

.25

1.30

(A)

3.1

SCHEMATIC

Drain

Gate

Source

4 11 R1

Supersedes 3 12 R0

3.1 - 37

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	OM460NK	OM10N100NKT	OM460NKV	OM10N100NK	OM10N100NKV	OM360NK	OM360NKT	OM360NKV
描述	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3, HERMETIC SEALED, TO-3, 2 PIN	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3, HERMETIC SEALED, TO-3, 2 PIN	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3, HERMETIC SEALED, TO-3, 2 PIN	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3, HERMETIC SEALED, TO-3, 2 PIN	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3, HERMETIC SEALED, TO-3, 2 PIN	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 400V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3, HERMETIC SEALED, TO-3, 2 PIN	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 400V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3, HERMETIC SEALED, TO-3, 2 PIN	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 400V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3, HERMETIC SEALED, TO-3, 2 PIN
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	TO-204AA	TO-204AA	TO-204AA	TO-204AA	TO-204AA	TO-204AA	TO-204AA	TO-204AA
包装说明	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数	2	2	2	2	2	2	2	2
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
其他特性	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）	1200 mJ	1000 mJ	1200 mJ	1000 mJ	1000 mJ	1000 mJ	1000 mJ	1000 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	500 V	1000 V	500 V	1000 V	1000 V	400 V	400 V	400 V
最大漏极电流 (ID)	22 A	10 A	22 A	10 A	10 A	24 A	24 A	24 A
最大漏源导通电阻	0.25 Ω	1.3 Ω	0.25 Ω	1.3 Ω	1.3 Ω	0.2 Ω	0.2 Ω	0.2 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-3	TO-3	TO-3	TO-3	TO-3	TO-3	TO-3	TO-3
JESD-30 代码	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2	2	2	2	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	235	235	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	235	235	235
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	85 A	40 A	85 A	40 A	40 A	92 A	92 A	92 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	30	30	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	30	30	30
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON

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