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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> OM460NKV
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OM460NKV

产品描述Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3, HERMETIC SEALED, TO-3, 2 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小31KB，共4页
制造商International Rectifier （ Infineon ）
官网地址http://www.irf.com/
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OM460NKV概述

Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3, HERMETIC SEALED, TO-3, 2 PIN

OM460NKV规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TO-204AA
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
其他特性HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）1200 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (ID)22 A
最大漏源导通电阻0.25 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-3
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）235
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)85 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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OM360NK OM10N100NK
OM460NK
POWER MOSFETS IN A TO-3 PACKAGE
400V Thru 1000V, N-Channel
Size 6 MOSFETs, High Energy Capability
FEATURES
•
•
•
•
•
TO-3 Package Hermetic, .060 Dia. Leads
Size 6 Die, High Energy
Fast Switching, Low Drive Current
Low R
DS(on)
Available Screened To MIL-S-19500, TX, TXV And S Levels
DESCRIPTION
This series of hermetically packaged products feature the latest advanced MOSFET
and packaging technology. They are ideally suited for Military requirements where
small size, high performance and high reliability are required, and in applications such
as switching power supplies, motor controls, inverters, choppers, audio amplifiers and
high energy pulse circuits. This series also features avalanche high energy capability
at elevated temperatures.
MAXIMUM RATINGS
PART NUMBER
OM360NK
OM460NK
OM10N100NK
V
DS
(V)
400
500
1000
R
DS(on)
( )
.20
.25
1.30
I
D
(A)
24
22
10
3.1
SCHEMATIC
Drain
Gate
Source
4 11 R1
Supersedes 3 12 R0
3.1 - 37

OM460NKV相似产品对比

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描述 Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3, HERMETIC SEALED, TO-3, 2 PIN Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3, HERMETIC SEALED, TO-3, 2 PIN Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3, HERMETIC SEALED, TO-3, 2 PIN Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3, HERMETIC SEALED, TO-3, 2 PIN Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 400V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3, HERMETIC SEALED, TO-3, 2 PIN Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 400V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3, HERMETIC SEALED, TO-3, 2 PIN Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 400V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3, HERMETIC SEALED, TO-3, 2 PIN Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3, HERMETIC SEALED, TO-3, 2 PIN
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 TO-204AA TO-204AA TO-204AA TO-204AA TO-204AA TO-204AA TO-204AA TO-204AA
包装说明 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
针数 2 2 2 2 2 2 2 2
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas） 1200 mJ 1000 mJ 1000 mJ 1000 mJ 1000 mJ 1000 mJ 1000 mJ 1200 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 500 V 1000 V 1000 V 1000 V 400 V 400 V 400 V 500 V
最大漏极电流 (ID) 22 A 10 A 10 A 10 A 24 A 24 A 24 A 22 A
最大漏源导通电阻 0.25 Ω 1.3 Ω 1.3 Ω 1.3 Ω 0.2 Ω 0.2 Ω 0.2 Ω 0.25 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-3 TO-3 TO-3 TO-3 TO-3 TO-3 TO-3 TO-3
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） 235 235 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 235 235 235 NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 85 A 40 A 40 A 40 A 92 A 92 A 92 A 85 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 30 30 30 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON

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