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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> NTB30N06G
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NTB30N06G

产品描述27A, 60V, 0.042ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小761KB，共8页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
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NTB30N06G在线购买

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NTB30N06G概述

27A, 60V, 0.042ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3

NTB30N06G规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Rochester Electronics
包装说明LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3
针数3
制造商包装代码CASE 418B-04
Reach Compliance Codeunknown
雪崩能效等级（Eas）101 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)27 A
最大漏源导通电阻0.042 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)80 A
认证状态COMMERCIAL
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

NTB30N06G相似产品对比

NTB30N06G NTP30N06 NTB30N06 NTB30N06T4
描述 27A, 60V, 0.042ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3 27A, 60V, 0.042ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, CASE 221A-09, 3 PIN 27A, 60V, 0.042ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 418B-04, D2PAK-3 27A, 60V, 0.042ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, CASE 418B-04, D2PAK-3
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics
包装说明 LEAD FREE, CASE 418B-04, D2PAK-3 CASE 221A-09, 3 PIN CASE 418B-04, D2PAK-3 CASE 418B-04, D2PAK-3
针数 3 3 3 3
制造商包装代码 CASE 418B-04 CASE 221A-09 CASE 418B-04 CASE 418B-04
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
雪崩能效等级（Eas） 101 mJ 101 mJ 101 mJ 101 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 60 V 60 V 60 V 60 V
最大漏极电流 (ID) 27 A 27 A 27 A 27 A
最大漏源导通电阻 0.042 Ω 0.042 Ω 0.042 Ω 0.042 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSFM-T3 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1
端子数量 2 3 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE FLANGE MOUNT SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） 260 NOT SPECIFIED 235 235
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 80 A 80 A 80 A 80 A
认证状态 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
表面贴装 YES NO YES YES
端子面层 MATTE TIN TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 40 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
湿度敏感等级 1 - 1 1

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