K3N6C1000F-TC15,K3N6C1000F-TC15 pdf中文资料,K3N6C1000F-TC15引脚图,K3N6C1000F-TC15电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> K3N6C1000F-TC15

K3N6C1000F-TC15: 产品描述MASK ROM, 2MX16, 150ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44; 产品类别存储存储; 文件大小48KB，共3页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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K3N6C1000F-TC15概述

MASK ROM, 2MX16, 150ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44

K3N6C1000F-TC15规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	TSOP2
包装说明	TSOP2, TSOP44,.46,32
针数	44
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	150 ns
备用内存宽度	8
JESD-30 代码	R-PDSO-G44
JESD-609代码	e0
长度	18.41 mm
内存密度	33554432 bit
内存集成电路类型	MASK ROM
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	44
字数	2097152 words
字数代码	2000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	2MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装等效代码	TSOP44,.46,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大待机电流	0.00005 A
最大压摆率	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	10.16 mm

K3N6C1000F-TC15相似产品对比

	K3N6C1000F-TC15	K3N6C1000F-TC10	K3N6C1000F-TC100	K3N6C1000F-TC150	K3N6C1000F-TC120	K3N6C1000F-TC12
描述	MASK ROM, 2MX16, 150ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44	MASK ROM, 2MX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44	MASK ROM, 2MX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44	MASK ROM, 2MX16, 150ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44	MASK ROM, 2MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44	MASK ROM, 2MX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2
包装说明	TSOP2, TSOP44,.46,32	TSOP2, TSOP44,.46,32	SOP,	SOP,	SOP,	0.400 INCH, TSOP2-44
针数	44	44	44	44	44	44
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	150 ns	100 ns	100 ns	150 ns	120 ns	120 ns
备用内存宽度	8	8	8	8	8	8
JESD-30 代码	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44
长度	18.41 mm	18.41 mm	18.41 mm	18.41 mm	18.41 mm	18.41 mm
内存密度	33554432 bit	33554432 bit	33554432 bit	33554432 bit	33554432 bit	33554432 bit
内存集成电路类型	MASK ROM	MASK ROM	MASK ROM	MASK ROM	MASK ROM	MASK ROM
内存宽度	16	16	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	44	44	44	44	44	44
字数	2097152 words	2097152 words	2097152 words	2097152 words	2097152 words	2097152 words
字数代码	2000000	2000000	2000000	2000000	2000000	2000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	2MX16	2MX16	2MX16	2MX16	2MX16	2MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2	TSOP2	SOP	SOP	SOP	TSOP2
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	240	240	240	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	30	30	30	NOT SPECIFIED
宽度	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm

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