Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> CMUT5087ELEADFREE

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CMUT5087ELEADFREE: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ULTRAMINI-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小350KB，共2页; 制造商Central Semiconductor; 标准

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CMUT5087ELEADFREE概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ULTRAMINI-3

CMUT5087ELEADFREE规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Central Semiconductor
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	50
JESD-30 代码	R-PDSO-F3
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	PNP
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	10
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	100 MHz

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CMUT5087E PNP

CMUT5088E NPN

ENHANCED SPECIFICATION

SURFACE MOUNT

COMPLEMENTARY

SILICON TRANSISTORS

w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMUT5087E and

CMUT5088E are Silicon transistors in an ULTRAmini™

surface mount package with enhanced specifications

designed for applications requiring high gain and low

noise.

MARKING CODES: CMUT5087E: U87

CMUT5088E: U88

SOT-523 CASE

MAXIMUM RATINGS:

(TA=25°C)

♦

Collector-Base Voltage

♦

Collector-Emitter Voltage

♦

Emitter-Base Voltage

Continuous Collector Current

Power Dissipation

Operating and Storage Junction Temperature

Thermal Resistance

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

TJ, Tstg

UNITS

°C

°C/W

5.0

100

350

-65 to +150

357

ELECTRICAL CHARACTERISTICS:

(TA=25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

ICBO

IEBO

♦

BVCBO

♦

BVCEO

TEST CONDITIONS

VCB=20V

VEB=3.0V

IC=100µA

IC=1.0mA

IE=100µA

IC=10mA, IB=1.0mA

IC=100mA, IB=10mA

IC=10mA, IB=1.0mA

VCE=5.0V, IC=0.1mA

VCE=5.0V, IC=1.0mA

VCE=5.0V, IC=10mA

VCE=5.0V, IC=100mA

VCE=5.0V, IC=500µA, f=20MHz

VCB=5.0V, IE=0, f=1.0MHz

VBE=0.5V, IC=0, f=1.0MHz

VCE=5.0V, IC=1.0mA, f=1.0kHz

VCE=5.0V, IC=100μA, RS=10kΩ f=10Hz to 15.7kHz

MIN

TYP

NPN PNP

MAX

5.0

135

8.7

110

700

430

435

430

125

150

105

7.5

225

700

390

380

350

4.0

350

3.0

1400

MHz

100

400

800

900

UNITS

♦

BVEBO

♦

VCE(SAT)

♦♦

VCE(SAT)

VBE(SAT)

♦

hFE

♦

hFE

♦♦

hFE

♦

Cob

Cib

hfe

300

100

♦

Enhanced specification

♦♦

Additional Enhanced specification

R2 (9-February 2010)

CMUT5087ELEADFREE相似产品对比

	CMUT5087ELEADFREE	CMUT5088ELEADFREE
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ULTRAMINI-3	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ULTRAMINI-3
是否无铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合
厂商名称	Central Semiconductor	Central Semiconductor
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数	3	3
Reach Compliance Code	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99
其他特性	LOW NOISE	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V	50 V
配置	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	50	50
JESD-30 代码	R-PDSO-F3	R-PDSO-F3
JESD-609代码	e3	e3
湿度敏感等级	1	1
元件数量	1	1
端子数量	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260
极性/信道类型	PNP	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
端子形式	FLAT	FLAT
端子位置	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	10	10
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	100 MHz	100 MHz

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