HM4-65162C/883,HM4-65162C/883 pdf中文资料,HM4-65162C/883引脚图,HM4-65162C/883电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HM4-65162C/883

HM4-65162C/883: 产品描述Standard SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CQCC32; 产品类别存储存储; 文件大小280KB，共10页; 制造商Harris; 官网地址http://www.harris.com/

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HM4-65162C/883概述

Standard SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CQCC32

HM4-65162C/883规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Harris
包装说明	QCCN, LCC32,.45X.55
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	90 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-CQCC-N32
JESD-609代码	e0
内存密度	16384 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	32
字数	2048 words
字数代码	2000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	2KX8
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	QCCN
封装等效代码	LCC32,.45X.55
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流	0.0003 A
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.085 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

HM4-65162C/883相似产品对比

	HM4-65162C/883	8403603ZX	8403602JA	8403602JX	8403603ZA
描述	Standard SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CQCC32	Standard SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CQCC32, CERAMIC, CC-32	Standard SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CDIP24, CERAMIC, DIP-24	Standard SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CDIP24, CERAMIC, DIP-24	Standard SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CQCC32, CERAMIC, CC-32
厂商名称	Harris	Harris	Harris	Harris	Harris
包装说明	QCCN, LCC32,.45X.55	QCCN,	DIP,	DIP,	QCCN,
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C
最长访问时间	90 ns	90 ns	90 ns	90 ns	90 ns
JESD-30 代码	R-CQCC-N32	R-CQCC-N32	R-GDIP-T24	R-GDIP-T24	R-CQCC-N32
内存密度	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1
端子数量	32	32	24	24	32
字数	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words
字数代码	2000	2000	2000	2000	2000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	QCCN	QCCN	DIP	DIP	QCCN
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	IN-LINE	IN-LINE	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	NO	NO	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	NO LEAD
端子位置	QUAD	QUAD	DUAL	DUAL	QUAD
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm	-	1.27 mm
座面最大高度	-	3.05 mm	5.72 mm	-	3.05 mm
宽度	-	11.43 mm	15.24 mm	-	11.43 mm
Base Number Matches	-	1	1	1	-

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