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CY7C1383DV25-100BGC

产品描述Cache SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, BGA-119
产品类别存储    存储   
文件大小532KB,共28页
制造商Cypress(赛普拉斯)
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CY7C1383DV25-100BGC概述

Cache SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, BGA-119

CY7C1383DV25-100BGC规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码BGA
包装说明14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, BGA-119
针数119
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间8.5 ns
其他特性FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)100 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B119
JESD-609代码e0
长度22 mm
内存密度18874368 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量119
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA119,7X17,50
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)220
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.4 mm
最大待机电流0.07 A
最小待机电流2.38 V
最大压摆率0.175 mA
最大供电电压 (Vsup)2.625 V
最小供电电压 (Vsup)2.375 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距1.27 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度14 mm

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CY7C1381DV25
CY7C1383DV25
18-Mbit (512K x 36/1M x 18)
Flow-Through SRAM
Features
• Supports 133-MHz bus operations
• 512K x 36/1M x 18 common I/O
• 2.5V core power supply (V
DD
)
• 2.5V I/O supply (V
DDQ
)
• Fast clock-to-output times
— 6.5 ns (133-MHz version)
• Provide high-performance 2-1-1-1 access rate
User-selectable burst counter supporting Intel
®
Pentium
®
interleaved or linear burst sequences
• Separate processor and controller address strobes
• Synchronous self-timed write
• Asynchronous output enable
• Available in JEDEC-standard lead-free 100-pin TQFP,
lead-free and non-lead-free 119-ball BGA and 165-ball
FBGA package
• IEEE 1149.1 JTAG-Compatible Boundary Scan
• “ZZ” Sleep Mode option
Functional Description
[1]
The CY7C1381DV25/CY7C1383DV25 are 2.5V, 512K x 36
and 1M x 18 Synchronous Flow-through SRAMs, respectively
designed to interface with high-speed microprocessors with
minimum glue logic. Maximum access delay from clock rise is
6.5 ns (133-MHz version). A 2-bit on-chip counter captures the
first address in a burst and increments the address automati-
cally for the rest of the burst access. All synchronous inputs
are gated by registers controlled by a positive-edge-triggered
Clock Input (CLK). The synchronous inputs include all
addresses, all data inputs, address-pipelining Chip Enable
(CE
1
), depth-expansion Chip Enables (CE
2
and CE
3[2]
), Burst
Control inputs (ADSC, ADSP, and ADV), Write Enables (BW
x
,
and BWE), and Global Write (GW). Asynchronous inputs
include the Output Enable (OE) and the ZZ pin.
The CY7C1381DV25/CY7C1383DV25 allows either inter-
leaved or linear burst sequences, selected by the MODE input
pin. A HIGH selects an interleaved burst sequence, while a
LOW selects a linear burst sequence. Burst accesses can be
initiated with the Processor Address Strobe (ADSP) or the
cache Controller Address Strobe (ADSC) inputs. Address
advancement is controlled by the Address Advancement
(ADV) input.
Addresses and chip enables are registered at rising edge of
clock when either Address Strobe Processor (ADSP) or
Address Strobe Controller (ADSC) are active. Subsequent
burst addresses can be internally generated as controlled by
the Advance pin (ADV).
The CY7C1381DV25/CY7C1383DV25 operates from a +2.5V
core power supply. All outputs also operate with a +2.5 supply.
All
inputs
and
outputs
are
JEDEC-standard
JESD8-5-compatible.
Selection Guide
133 MHz
Maximum Access Time
Maximum Operating Current
Maximum CMOS Standby Current
6.5
210
70
100 MHz
8.5
175
70
Unit
ns
mA
mA
Notes:
1. For best-practices recommendations, please refer to the Cypress application note
System Design Guidelines
on www.cypress.com.
2. CE
3,
CE
2
are for TQFP and 165 FBGA package only. 119 BGA is offered only in 1 Chip Enable.
Cypress Semiconductor Corporation
Document #: 38-05547 Rev. *D
198 Champion Court
San Jose
,
CA 95134-1709
408-943-2600
Revised June 28, 2006
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