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BCP54/A2,115

产品描述1 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-243AA
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小1MB,共22页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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BCP54/A2,115概述

1 A, 45 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-243AA

1 A, 45 V, NPN, 硅, 功率晶体管, TO-243AA

BCP54/A2,115规格参数

参数名称属性值
端子数量3
晶体管极性NPN
最大集电极电流1 A
最大集电极发射极电压45 V
加工封装描述塑料, MPT3, 表面贴装, SC-62, UPAK-3
状态ACTIVE
包装形状矩形的
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式FLAT
端子位置单一的
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的
壳体连接COLLECTOR
元件数量1
晶体管应用放大器
晶体管元件材料
晶体管类型通用电源
最小直流放大倍数100
额定交叉频率130 MHz

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BCP54; BCX54; BC54PA
45 V, 1 A NPN medium power transistors
Rev. 8 — 21 October 2011
Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
NPN medium power transistor series in Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages.
Table 1.
Product overview
Package
NXP
BCP54
BCX54
BC54PA
[1]
Type number
[1]
PNP complement
JEITA
SC-73
SC-62
-
JEDEC
-
TO-243
-
BCP51
BCX51
BC51PA
SOT223
SOT89
SOT1061
Valid for all available selection groups.
1.2 Features and benefits
High current
Three current gain selections
High power dissipation capability
Exposed heatsink for excellent thermal and electrical conductivity (SOT89, SOT1061)
Leadless very small SMD plastic package with medium power capability (SOT1061)
AEC-Q101 qualified
1.3 Applications
Linear voltage regulators
Low-side switches
Battery-driven devices
Power management
MOSFET drivers
Amplifiers
1.4 Quick reference data
Table 2.
Symbol
V
CEO
I
C
I
CM
h
FE
Quick reference data
Parameter
collector-emitter voltage
collector current
peak collector current
DC current gain
h
FE
selection -10
h
FE
selection -16
[1]
Pulse test: t
p
300
s; 
= 0.02.
Conditions
open base
single pulse; t
p
1 ms
V
CE
= 2 V; I
C
= 150 mA
V
CE
= 2 V; I
C
= 150 mA
V
CE
= 2 V; I
C
= 150 mA
[1]
[1]
[1]
Min
-
-
-
63
63
100
Typ
-
-
-
-
-
-
Max
45
1
2
250
160
250
Unit
V
A
A
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