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N82S11FB: 产品描述Standard SRAM, 1KX1, 40ns, TTL, CDIP16; 产品类别存储存储; 文件大小248KB，共4页; 制造商Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.); 官网地址https://www.nxp.com/

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N82S11FB概述

Standard SRAM, 1KX1, 40ns, TTL, CDIP16

N82S11FB规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
包装说明	DIP, DIP16,.3
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	40 ns
JESD-30 代码	R-XDIP-T16
JESD-609代码	e0
内存密度	1024 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	1
端子数量	16
字数	1024 words
字数代码	1000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1KX1
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP16,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
最大压摆率	0.17 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	TTL
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL

N82S11FB相似产品对比

	N82S11FB	S93L415F/883B	N93L415N	N93L415FB	S93L415F/883C	N82S11FA	S82S11F/883C	S82S11F/883B
描述	Standard SRAM, 1KX1, 40ns, TTL, CDIP16	Standard SRAM, 1KX1, 70ns, TTL, CDIP16	Standard SRAM, 1KX1, 60ns, TTL, PDIP16	Standard SRAM, 1KX1, 60ns, TTL, CDIP16	Standard SRAM, 1KX1, 70ns, TTL, CDIP16	Standard SRAM, 1KX1, 40ns, TTL, CDIP16	Standard SRAM, 1KX1, 60ns, TTL, CDIP16	Standard SRAM, 1KX1, 60ns, TTL, CDIP16
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)	Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)	Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)	Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)	Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)	Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)	Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)	Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
包装说明	DIP, DIP16,.3	DIP, DIP16,.3	DIP, DIP16,.3	DIP, DIP16,.3	DIP, DIP16,.3	DIP, DIP16,.3	DIP, DIP16,.3	DIP, DIP16,.3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	40 ns	70 ns	60 ns	60 ns	70 ns	40 ns	60 ns	60 ns
JESD-30 代码	R-XDIP-T16	R-XDIP-T16	R-PDIP-T16	R-XDIP-T16	R-XDIP-T16	R-XDIP-T16	R-XDIP-T16	R-XDIP-T16
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	1024 bit	1024 bit	1024 bit	1024 bit	1024 bit	1024 bit	1024 bit	1024 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	16	16	16	16	16	16	16	16
字数	1024 words	1024 words	1024 words	1024 words	1024 words	1024 words	1024 words	1024 words
字数代码	1000	1000	1000	1000	1000	1000	1000	1000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	125 °C	70 °C	70 °C	125 °C	70 °C	125 °C	125 °C
组织	1KX1	1KX1	1KX1	1KX1	1KX1	1KX1	1KX1	1KX1
输出特性	3-STATE	OPEN-COLLECTOR	OPEN-COLLECTOR	OPEN-COLLECTOR	OPEN-COLLECTOR	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC	CERAMIC	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC
封装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
封装等效代码	DIP16,.3	DIP16,.3	DIP16,.3	DIP16,.3	DIP16,.3	DIP16,.3	DIP16,.3	DIP16,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
最大压摆率	0.17 mA	0.075 mA	0.065 mA	0.065 mA	0.075 mA	0.17 mA	0.17 mA	0.17 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	TTL	TTL	TTL	TTL	TTL	TTL	TTL	TTL
温度等级	COMMERCIAL	MILITARY	COMMERCIAL	COMMERCIAL	MILITARY	COMMERCIAL	MILITARY	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
认证状态	-	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified

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