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EDI44256C150QB

产品描述Fast Page DRAM, 256KX4, 150ns, CMOS, CDIP20,
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文件大小1022KB,共18页
制造商EDI [Electronic devices inc.]
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EDI44256C150QB概述

Fast Page DRAM, 256KX4, 150ns, CMOS, CDIP20,

EDI44256C150QB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称EDI [Electronic devices inc.]
Reach Compliance Codeunknown
访问模式FAST PAGE
最长访问时间150 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-CDIP-T20
JESD-609代码e0
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量20
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织256KX4
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP20,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期512
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流0.0005 A
最大压摆率0.055 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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