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S82S11F/883C

产品描述Standard SRAM, 1KX1, 60ns, TTL, CDIP16
产品类别存储    存储   
文件大小248KB,共4页
制造商Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
官网地址https://www.nxp.com/
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S82S11F/883C概述

Standard SRAM, 1KX1, 60ns, TTL, CDIP16

S82S11F/883C规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
包装说明DIP, DIP16,.3
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间60 ns
JESD-30 代码R-XDIP-T16
JESD-609代码e0
内存密度1024 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度1
端子数量16
字数1024 words
字数代码1000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织1KX1
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP16,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883 Class C
最大压摆率0.17 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术TTL
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL

S82S11F/883C相似产品对比

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描述 Standard SRAM, 1KX1, 60ns, TTL, CDIP16 Standard SRAM, 1KX1, 70ns, TTL, CDIP16 Standard SRAM, 1KX1, 60ns, TTL, PDIP16 Standard SRAM, 1KX1, 60ns, TTL, CDIP16 Standard SRAM, 1KX1, 70ns, TTL, CDIP16 Standard SRAM, 1KX1, 40ns, TTL, CDIP16 Standard SRAM, 1KX1, 40ns, TTL, CDIP16 Standard SRAM, 1KX1, 60ns, TTL, CDIP16
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
包装说明 DIP, DIP16,.3 DIP, DIP16,.3 DIP, DIP16,.3 DIP, DIP16,.3 DIP, DIP16,.3 DIP, DIP16,.3 DIP, DIP16,.3 DIP, DIP16,.3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 60 ns 70 ns 60 ns 60 ns 70 ns 40 ns 40 ns 60 ns
JESD-30 代码 R-XDIP-T16 R-XDIP-T16 R-PDIP-T16 R-XDIP-T16 R-XDIP-T16 R-XDIP-T16 R-XDIP-T16 R-XDIP-T16
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 1024 bit 1024 bit 1024 bit 1024 bit 1024 bit 1024 bit 1024 bit 1024 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 16 16 16 16 16 16 16 16
字数 1024 words 1024 words 1024 words 1024 words 1024 words 1024 words 1024 words 1024 words
字数代码 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 70 °C 70 °C 125 °C 70 °C 70 °C 125 °C
组织 1KX1 1KX1 1KX1 1KX1 1KX1 1KX1 1KX1 1KX1
输出特性 3-STATE OPEN-COLLECTOR OPEN-COLLECTOR OPEN-COLLECTOR OPEN-COLLECTOR 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC CERAMIC PLASTIC/EPOXY CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC
封装代码 DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP16,.3 DIP16,.3 DIP16,.3 DIP16,.3 DIP16,.3 DIP16,.3 DIP16,.3 DIP16,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
最大压摆率 0.17 mA 0.075 mA 0.065 mA 0.065 mA 0.075 mA 0.17 mA 0.17 mA 0.17 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO
技术 TTL TTL TTL TTL TTL TTL TTL TTL
温度等级 MILITARY MILITARY COMMERCIAL COMMERCIAL MILITARY COMMERCIAL COMMERCIAL MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified - Not Qualified

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