IDT8M656S85C,IDT8M656S85C pdf中文资料,IDT8M656S85C引脚图,IDT8M656S85C电路-Datasheet-电子工程世界

IDT8M656S85C: 产品描述SRAM Module, 16KX16, 85ns, CMOS, CDIP40; 产品类别存储存储; 文件大小407KB，共8页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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IDT8M656S85C概述

SRAM Module, 16KX16, 85ns, CMOS, CDIP40

IDT8M656S85C规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Code	not_compliant
最长访问时间	85 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDIP-T40
JESD-609代码	e0
内存密度	262144 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE
内存宽度	16
端子数量	40
字数	16384 words
字数代码	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	16KX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP40,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.06 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.36 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30

IDT8M656S85C相似产品对比

	IDT8M656S85C	IDT8M656S40C	IDT8M656S50C	IDT8M656S50CB	IDT8M656S60CB	IDT8M656S70C	IDT8M656S70CB	IDT8M656S85CB
描述	SRAM Module, 16KX16, 85ns, CMOS, CDIP40	SRAM Module, 16KX16, 40ns, CMOS, CDIP40	SRAM Module, 16KX16, 50ns, CMOS, CDIP40	SRAM Module, 16KX16, 50ns, CMOS, CDIP40	SRAM Module, 16KX16, 60ns, CMOS, CDIP40	SRAM Module, 16KX16, 70ns, CMOS, CDIP40	SRAM Module, 16KX16, 70ns, CMOS, CDIP40	SRAM Module, 16KX16, 85ns, CMOS, CDIP40
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
最长访问时间	85 ns	40 ns	50 ns	50 ns	60 ns	70 ns	70 ns	85 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDIP-T40	R-XDIP-T40	R-XDIP-T40	R-XDIP-T40	R-XDIP-T40	R-XDIP-T40	R-XDIP-T40	R-XDIP-T40
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE
内存宽度	16	16	16	16	16	16	16	16
端子数量	40	40	40	40	40	40	40	40
字数	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words
字数代码	16000	16000	16000	16000	16000	16000	16000	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	125 °C	125 °C	70 °C	125 °C	125 °C
组织	16KX16	16KX16	16KX16	16KX16	16KX16	16KX16	16KX16	16KX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC
封装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
封装等效代码	DIP40,.6	DIP40,.6	DIP40,.6	DIP40,.6	DIP40,.6	DIP40,.6	DIP40,.6	DIP40,.6
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	225	225	225	225	260	260
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.06 A	0.06 A	0.06 A	0.08 A	0.08 A	0.06 A	0.08 A	0.08 A
最小待机电流	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
最大压摆率	0.36 mA	0.36 mA	0.33 mA	0.36 mA	0.36 mA	0.36 mA	0.36 mA	0.36 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	MILITARY	MILITARY	COMMERCIAL	MILITARY	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30	30	30	6	6

IDT8M656S85C

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IDT8M656S85C规格参数

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