IDT8M656S70C,IDT8M656S70C pdf中文资料,IDT8M656S70C引脚图,IDT8M656S70C电路-Datasheet-电子工程世界

IDT8M656S70C: 产品描述SRAM Module, 16KX16, 70ns, CMOS, CDIP40; 产品类别存储存储; 文件大小407KB，共8页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

下载文档详细参数选型对比全文预览

IDT8M656S70C概述

SRAM Module, 16KX16, 70ns, CMOS, CDIP40

IDT8M656S70C规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Code	not_compliant
最长访问时间	70 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDIP-T40
JESD-609代码	e0
内存密度	262144 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE
内存宽度	16
端子数量	40
字数	16384 words
字数代码	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	16KX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP40,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.06 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.36 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30

IDT8M656S70C相似产品对比

	IDT8M656S70C	IDT8M656S40C	IDT8M656S50C	IDT8M656S50CB	IDT8M656S60CB	IDT8M656S70CB	IDT8M656S85C	IDT8M656S85CB
描述	SRAM Module, 16KX16, 70ns, CMOS, CDIP40	SRAM Module, 16KX16, 40ns, CMOS, CDIP40	SRAM Module, 16KX16, 50ns, CMOS, CDIP40	SRAM Module, 16KX16, 50ns, CMOS, CDIP40	SRAM Module, 16KX16, 60ns, CMOS, CDIP40	SRAM Module, 16KX16, 70ns, CMOS, CDIP40	SRAM Module, 16KX16, 85ns, CMOS, CDIP40	SRAM Module, 16KX16, 85ns, CMOS, CDIP40
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
最长访问时间	70 ns	40 ns	50 ns	50 ns	60 ns	70 ns	85 ns	85 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDIP-T40	R-XDIP-T40	R-XDIP-T40	R-XDIP-T40	R-XDIP-T40	R-XDIP-T40	R-XDIP-T40	R-XDIP-T40
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE
内存宽度	16	16	16	16	16	16	16	16
端子数量	40	40	40	40	40	40	40	40
字数	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words
字数代码	16000	16000	16000	16000	16000	16000	16000	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	125 °C	125 °C	125 °C	70 °C	125 °C
组织	16KX16	16KX16	16KX16	16KX16	16KX16	16KX16	16KX16	16KX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC
封装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
封装等效代码	DIP40,.6	DIP40,.6	DIP40,.6	DIP40,.6	DIP40,.6	DIP40,.6	DIP40,.6	DIP40,.6
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	225	225	225	260	225	260
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.06 A	0.06 A	0.06 A	0.08 A	0.08 A	0.08 A	0.06 A	0.08 A
最小待机电流	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
最大压摆率	0.36 mA	0.36 mA	0.33 mA	0.36 mA	0.36 mA	0.36 mA	0.36 mA	0.36 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	MILITARY	MILITARY	MILITARY	COMMERCIAL	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30	30	6	30	6

推荐资源

余生很长，只要开始就不算晚: [i=s] 本帖最后由 lb8820265 于 2018-5-17 12:31 编辑 [/i][font=微软雅黑][size=4]最近看了个演讲视频非常有感触：[/size][/font][align=center][media=swf,500,375]http://v.youku.com/v_show/id_XMzU5OTU5MDYwMA==.html[/media][/align][font...; lb8820265 聊聊、笑笑、闹闹

?编写WINCE5.0下摄像头应用程序: [嵌入开发(WinCE)]...; qscft WindowsCE

哪位朋友有锂离子蓄电池蓄能电池行业标准！: :)哪位朋友有锂离子蓄电池蓄能电池行业标准！...; jameswangsynnex 汽车电子

win7 PB5.0兼容性问题: 请问大家有没有在Win7下用PB5.0的。可以兼容吗？...; cbl_rfid 嵌入式系统

关于isl7135的转换: 我读出的转换结果始终是0，而且超限报警一直为高电平，用电位器模拟输入，无论怎样更改输入电压，都是如此……这会是什么原因呢？我的程序逻辑应该没有错，读出的数据只有位码，而对应的BCD码却都为零，这说明寻址正确了……等待解答........; wangyifei 嵌入式系统

各位大侠有谁用过sTC89c52定时器2的捕捉功能啊: 在下用此单片机测量美新温度传感器SMT16030输出的方波的占空比，老是出问题，方波的频率是1khz到4khz，测量第一个下降沿的数值比第二个下降沿的数值还大，而且都不对，...; wudayongnb 51单片机

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多