IDT7MP6094S50M概述

Cache Tag SRAM Module, 256KX36, 25ns, PSMA80

IDT7MP6094S50M规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Code	not_compliant
最长访问时间	25 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PSMA-N80
JESD-609代码	e0
内存密度	9437184 bit
内存集成电路类型	CACHE TAG SRAM MODULE
内存宽度	36
端子数量	80
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SIMM
封装等效代码	SSIM80
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
最大压摆率	2.2 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30

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描述	Cache Tag SRAM Module, 256KX36, 25ns, PSMA80	Cache Tag SRAM Module, 16KX36, 25ns, PSMA80	Cache Tag SRAM Module, 16KX36, 15ns, PSMA80	Cache Tag SRAM Module, 64KX36, 25ns, PSMA80	Cache Tag SRAM Module, 64KX36, 15ns, PSMA80	Cache Tag SRAM Module, 256KX36, 15ns, PSMA80
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
最长访问时间	25 ns	25 ns	15 ns	25 ns	15 ns	15 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PSMA-N80	R-PSMA-N80	R-PSMA-N80	R-PSMA-N80	R-PSMA-N80	R-PSMA-N80
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	9437184 bit	589824 bit	589824 bit	2359296 bit	2359296 bit	9437184 bit
内存集成电路类型	CACHE TAG SRAM MODULE	CACHE TAG SRAM MODULE	CACHE TAG SRAM MODULE	CACHE TAG SRAM MODULE	CACHE TAG SRAM MODULE	CACHE TAG SRAM MODULE
内存宽度	36	36	36	36	36	36
端子数量	80	80	80	80	80	80
字数	262144 words	16384 words	16384 words	65536 words	65536 words	262144 words
字数代码	256000	16000	16000	64000	64000	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	256KX36	16KX36	16KX36	64KX36	64KX36	256KX36
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM
封装等效代码	SSIM80	SSIM80	SSIM80	SSIM80	SSIM80	SSIM80
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	225	225	225	225
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30	30	30

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