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IDT7MP6084S75M

产品描述Cache Tag SRAM Module, 64KX36, 15ns, PSMA80
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文件大小239KB,共5页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7MP6084S75M概述

Cache Tag SRAM Module, 64KX36, 15ns, PSMA80

IDT7MP6084S75M规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Codenot_compliant
最长访问时间15 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PSMA-N80
JESD-609代码e0
内存密度2359296 bit
内存集成电路类型CACHE TAG SRAM MODULE
内存宽度36
端子数量80
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64KX36
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SIMM
封装等效代码SSIM80
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源5 V
认证状态Not Qualified
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30

IDT7MP6084S75M相似产品对比

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描述 Cache Tag SRAM Module, 64KX36, 15ns, PSMA80 Cache Tag SRAM Module, 16KX36, 25ns, PSMA80 Cache Tag SRAM Module, 16KX36, 15ns, PSMA80 Cache Tag SRAM Module, 64KX36, 25ns, PSMA80 Cache Tag SRAM Module, 256KX36, 25ns, PSMA80 Cache Tag SRAM Module, 256KX36, 15ns, PSMA80
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
最长访问时间 15 ns 25 ns 15 ns 25 ns 25 ns 15 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PSMA-N80 R-PSMA-N80 R-PSMA-N80 R-PSMA-N80 R-PSMA-N80 R-PSMA-N80
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 2359296 bit 589824 bit 589824 bit 2359296 bit 9437184 bit 9437184 bit
内存集成电路类型 CACHE TAG SRAM MODULE CACHE TAG SRAM MODULE CACHE TAG SRAM MODULE CACHE TAG SRAM MODULE CACHE TAG SRAM MODULE CACHE TAG SRAM MODULE
内存宽度 36 36 36 36 36 36
端子数量 80 80 80 80 80 80
字数 65536 words 16384 words 16384 words 65536 words 262144 words 262144 words
字数代码 64000 16000 16000 64000 256000 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 64KX36 16KX36 16KX36 64KX36 256KX36 256KX36
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SIMM SIMM SIMM SIMM SIMM SIMM
封装等效代码 SSIM80 SSIM80 SSIM80 SSIM80 SSIM80 SSIM80
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 225 225 225 225 225 225
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30 30 30 30
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