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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> CMST7410
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CMST7410

产品描述SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY LOW VCE(SAT) SILICON TRANSISTORS
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小410KB，共3页
制造商Central Semiconductor
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CMST7410概述

SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY LOW VCE(SAT) SILICON TRANSISTORS

CMST7410规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压25 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)50
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz

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CMST3410 NPN
CMST7410 PNP
SURFACE MOUNT
COMPLEMENTARY LOW VCE(SAT)
SILICON TRANSISTORS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMST3410,
CMST7410 types are complementary silicon transistors
manufactured by the epitaxial planar process, epoxy
molded in a SUPERmini™ surface mount package,
designed for battery driven, handheld devices requiring
high current and low VCE(SAT) voltages.
MARKING CODES: CMST3410: C03
CMST7410: C07
SOT-323 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Peak Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
UNITS
V
V
V
A
A
mW
°C
°C/W
40
25
6.0
1.0
1.5
275
-65 to +150
455
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
CMST3410 CMST7410
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
TYP
ICBO
VCB=40V
IEBO
VEB=6.0V
BVCBO
IC=100µA
40
BVCEO
IC=10mA
25
BVEBO
IE=100µA
6.0
VCE(SAT)
IC=50mA, IB=5.0mA
20
25
VCE(SAT)
IC=100mA, IB=10mA
35
40
VCE(SAT)
IC=200mA, IB=20mA
75
80
VCE(SAT)
IC=500mA, IB=50mA
130
150
VCE(SAT)
IC=800mA, IB=80mA
200
220
VCE(SAT)
IC=1.0A, IB=100mA
250
275
VBE(SAT)
IC=800mA, IB=80mA
VBE(ON)
VCE=1.0V, IC=10mA
hFE
VCE=1.0V, IC=10mA
100
hFE
VCE=1.0V, IC=100mA
100
hFE
VCE=1.0V, IC=500mA
100
hFE
VCE=1.0V, IC=1.0A
50
fT
VCE=10V, IC=50mA, f=100MHz
100
Cob
VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz (CMST3410)
Cob
VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz (CMST7410)
MAX
100
100
50
75
150
250
400
450
1.1
0.9
300
UNITS
nA
nA
V
V
V
mV
mV
mV
mV
mV
mV
V
V
10
15
MHz
pF
pF
R1 (9-February 2010)

CMST7410相似产品对比

CMST7410 CMST3410_10 CMST3410
描述 SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY LOW VCE(SAT) SILICON TRANSISTORS SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY LOW VCE(SAT) SILICON TRANSISTORS SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY LOW VCE(SAT) SILICON TRANSISTORS
是否无铅 含铅 - 含铅
是否Rohs认证 不符合 - 不符合
厂商名称 Central Semiconductor - Central Semiconductor
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 - SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3 - 3
Reach Compliance Code _compli - _compli
ECCN代码 EAR99 - EAR99
最大集电极电流 (IC) 1 A - 1 A
集电极-发射极最大电压 25 V - 25 V
配置 SINGLE - SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 50 - 50
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 - R-PDSO-G3
JESD-609代码 e0 - e0
元件数量 1 - 1
端子数量 3 - 3
最高工作温度 150 °C - 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP - NPN
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
表面贴装 YES - YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING - GULL WING
端子位置 DUAL - DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING - SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON - SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz - 100 MHz

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器件捷径:   00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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