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CMST3410_10

产品描述SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY LOW VCE(SAT) SILICON TRANSISTORS
文件大小410KB,共3页
制造商Central Semiconductor
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CMST3410_10概述

SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY LOW VCE(SAT) SILICON TRANSISTORS

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CMST3410 NPN
CMST7410 PNP
SURFACE MOUNT
COMPLEMENTARY LOW VCE(SAT)
SILICON TRANSISTORS
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMST3410,
CMST7410 types are complementary silicon transistors
manufactured by the epitaxial planar process, epoxy
molded in a SUPERmini™ surface mount package,
designed for battery driven, handheld devices requiring
high current and low VCE(SAT) voltages.
MARKING CODES: CMST3410: C03
CMST7410: C07
SOT-323 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Peak Collector Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
UNITS
V
V
V
A
A
mW
°C
°C/W
40
25
6.0
1.0
1.5
275
-65 to +150
455
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
CMST3410 CMST7410
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
TYP
ICBO
VCB=40V
IEBO
VEB=6.0V
BVCBO
IC=100µA
40
BVCEO
IC=10mA
25
BVEBO
IE=100µA
6.0
VCE(SAT)
IC=50mA, IB=5.0mA
20
25
VCE(SAT)
IC=100mA, IB=10mA
35
40
VCE(SAT)
IC=200mA, IB=20mA
75
80
VCE(SAT)
IC=500mA, IB=50mA
130
150
VCE(SAT)
IC=800mA, IB=80mA
200
220
VCE(SAT)
IC=1.0A, IB=100mA
250
275
VBE(SAT)
IC=800mA, IB=80mA
VBE(ON)
VCE=1.0V, IC=10mA
hFE
VCE=1.0V, IC=10mA
100
hFE
VCE=1.0V, IC=100mA
100
hFE
VCE=1.0V, IC=500mA
100
hFE
VCE=1.0V, IC=1.0A
50
fT
VCE=10V, IC=50mA, f=100MHz
100
Cob
VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz (CMST3410)
Cob
VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz (CMST7410)
MAX
100
100
50
75
150
250
400
450
1.1
0.9
300
UNITS
nA
nA
V
V
V
mV
mV
mV
mV
mV
mV
V
V
10
15
MHz
pF
pF
R1 (9-February 2010)

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CMST3410_10 CMST3410 CMST7410
描述 SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY LOW VCE(SAT) SILICON TRANSISTORS SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY LOW VCE(SAT) SILICON TRANSISTORS SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY LOW VCE(SAT) SILICON TRANSISTORS
是否无铅 - 含铅 含铅
是否Rohs认证 - 不符合 不符合
厂商名称 - Central Semiconductor Central Semiconductor
包装说明 - SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 - 3 3
Reach Compliance Code - _compli _compli
ECCN代码 - EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) - 1 A 1 A
集电极-发射极最大电压 - 25 V 25 V
配置 - SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) - 50 50
JESD-30 代码 - R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 - e0 e0
元件数量 - 1 1
端子数量 - 3 3
最高工作温度 - 150 °C 150 °C
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 - NPN PNP
认证状态 - Not Qualified Not Qualified
表面贴装 - YES YES
端子面层 - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 - GULL WING GULL WING
端子位置 - DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 - SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 - SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) - 100 MHz 100 MHz
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