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CENW651

产品描述Small Signal Bipolar Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小57KB,共1页
制造商Central Semiconductor
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CENW651概述

Small Signal Bipolar Transistor,

CENW651规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
零件包装代码TO-237AA
包装说明TO-237, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JEDEC-95代码TO-237AA
JESD-30 代码O-PBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值1 W
最大功率耗散 (Abs)2.5 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)75 MHz
VCEsat-Max0.5 V

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CENW651相似产品对比

CENW651 MPS6520 LEADFREE CENW750
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 双极小信号 npn gen pur SS sistors Small Signal Bipolar Transistor,
厂商名称 Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor
是否无铅 含铅 - 含铅
是否Rohs认证 不符合 - 不符合
零件包装代码 TO-237AA - TO-237AA
包装说明 TO-237, 3 PIN - TO-237, 3 PIN
针数 3 - 3
Reach Compliance Code unknown - not_compliant
最大集电极电流 (IC) 2 A - 2 A
集电极-发射极最大电压 60 V - 40 V
配置 SINGLE - SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 40 - 40
JEDEC-95代码 TO-237AA - TO-237AA
JESD-30 代码 O-PBCY-W3 - O-PBCY-W3
JESD-609代码 e0 - e0
元件数量 1 - 1
端子数量 3 - 3
最高工作温度 150 °C - 150 °C
最低工作温度 -65 °C - -65 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND - ROUND
封装形式 CYLINDRICAL - CYLINDRICAL
极性/信道类型 NPN - PNP
功耗环境最大值 1 W - 1 W
最大功率耗散 (Abs) 2.5 W - 2.5 W
表面贴装 NO - NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE - WIRE
端子位置 BOTTOM - BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING - SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON - SILICON
标称过渡频率 (fT) 75 MHz - 75 MHz
VCEsat-Max 0.5 V - 0.5 V
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