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BAS16S62Z: 产品描述0.2A, 75V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小35KB，共2页; 制造商Texas Instruments(德州仪器); 官网地址http://www.ti.com.cn/

敬请期待详细参数选型对比

BAS16S62Z概述

0.2A, 75V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB

BAS16S62Z规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)
包装说明	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.25 V
JEDEC-95代码	TO-236AB
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流	2 A
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
最大输出电流	0.2 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
最大功率耗散	0.35 W
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	75 V
最大反向电流	1 µA
最大反向恢复时间	0.006 µs
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL

BAS16S62Z相似产品对比

	BAS16S62Z	BAS16L99Z	BAS16D87Z
描述	0.2A, 75V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB	0.2A, 75V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB	0.2A, 75V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB
包装说明	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
Reach Compliance Code	unknown	unknow	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.25 V	1.25 V	1.25 V
JEDEC-95代码	TO-236AB	TO-236AB	TO-236AB
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流	2 A	2 A	2 A
元件数量	1	1	1
端子数量	3	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C
最大输出电流	0.2 A	0.2 A	0.2 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
最大功率耗散	0.35 W	0.35 W	0.35 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	75 V	75 V	75 V
最大反向电流	1 µA	1 µA	1 µA
最大反向恢复时间	0.006 µs	0.006 µs	0.006 µs
表面贴装	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)	-	Texas Instruments(德州仪器)

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