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BAS16L99Z

产品描述0.2A, 75V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小35KB,共2页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数 选型对比

BAS16L99Z概述

0.2A, 75V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB

BAS16L99Z规格参数

参数名称属性值
包装说明R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.25 V
JEDEC-95代码TO-236AB
JESD-30 代码R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流2 A
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大功率耗散0.35 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压75 V
最大反向电流1 µA
最大反向恢复时间0.006 µs
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
Base Number Matches1

BAS16L99Z相似产品对比

BAS16L99Z BAS16D87Z BAS16S62Z
描述 0.2A, 75V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB 0.2A, 75V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB 0.2A, 75V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB
包装说明 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknow unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.25 V 1.25 V 1.25 V
JEDEC-95代码 TO-236AB TO-236AB TO-236AB
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流 2 A 2 A 2 A
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
最大输出电流 0.2 A 0.2 A 0.2 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
最大功率耗散 0.35 W 0.35 W 0.35 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 75 V 75 V 75 V
最大反向电流 1 µA 1 µA 1 µA
最大反向恢复时间 0.006 µs 0.006 µs 0.006 µs
表面贴装 YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL
厂商名称 - Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)

 
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