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HUF75321D3S

产品描述20A, 55V, 0.036ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
产品类别晶体管   
文件大小129KB,共9页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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HUF75321D3S概述

20A, 55V, 0.036ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA

HUF75321D3S规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)20 A
最大漏极电流 (ID)20 A
最大漏源导通电阻0.036 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)55 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

HUF75321D3S相似产品对比

HUF75321D3S HUF75321D3
描述 20A, 55V, 0.036ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA 20A, 55V, 0.036ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 55 V 55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 20 A 20 A
最大漏极电流 (ID) 20 A 20 A
最大漏源导通电阻 0.036 Ω 0.036 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-252AA TO-251AA
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 2 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 55 W 55 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1
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