Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> 28C011TRT2FB-20

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28C011TRT2FB-20: 产品描述EEPROM, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, LDFP-32; 产品类别存储存储; 文件大小328KB，共19页; 制造商Data Device Corporation

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28C011TRT2FB-20概述

EEPROM, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, LDFP-32

28C011TRT2FB-20规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
包装说明	LDFP-32
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	200 ns
JESD-30 代码	R-XDFP-F32
长度	20.828 mm
内存密度	1048576 bi
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	128KX8
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DFP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL
编程电压	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	2.4384 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子形式	FLAT
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
总剂量	25k Rad(Si) V
宽度	10.414 mm
最长写入周期时间 (tWC)	10 ms
Base Number Matches	1

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1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM

RES

I/O Buffer and

Input Latch

Control Logic Timing

High Voltage

Generator

I/O0

I/O7

RDY/Busy

28C011T

Address

Buffer and

Latch

A16

Y Decoder

Y Gating

X Decoder

Memory Array

Data Latch

Memory

Logic Diagram

EATURES

• 128k x 8-bit EEPROM

• R

-P

® radiation-hardened against natural space radia-

tion

• Total dose hardness:

- > 100 krad (Si), depending upon space mission

• Excellent Single event effects @ 25

- SEL

> 120 MeV cm

/mg (Device)

- SEU

> 90 MeV cm

/mg(Memory Cells)

- SEU

> 18 MeV cm

/mg (Write Mode)

- SET

> 40 MeV cm

/mg (Read Mode)

• Package:

- 32-pin R

-P

® flat package

- 32-pin Rad-Tolerant flat package

- JEDEC-approved byte-wide pinout

• High speed:

- 120, 150, and 200 ns maximum access times available

• High endurance:

- 10,000 erase/write (in Page Mode),

- 10 year data retention

• Page write mode:

- 1 to 128 bytes

• Low power dissipation

- 20 mW/MHz active (typical)

- 110 µW standby (maximum)

ESCRIPTION

Maxwell Technologies’ 28C011T high-density 1 Megabit (128K

x 8-Bit) EEPROM microcircuit features a greater than 100

krad (Si) total dose tolerance, depending upon space mission.

The 28C011T is capable of in-system electrical byte and page

programmability. It has a 128-byte page programming function

to make its erase and write operations faster. It also features

data polling and a Ready/Busy signal to indicate the comple-

tion of erase and programming operations. In the 28C010T,

hardware data protection is provided with the RES pin, in addi-

tion to noise protection on the WE signal and write inhibit on

power on and off. Software data protection is implemented

using the JEDEC optional standard algorithm.

Maxwell Technologies' patented R

-P

® packaging technol-

ogy incorporates radiation shielding in the microcircuit pack-

age. It eliminates the need for box shielding while providing

the required radiation shielding for a lifetime in orbit or space

mission. In a GEO orbit, R

-P

® provides greater than 100

krad (Si) radiation dose tolerance. This product is available

with screening up to Maxwell’s self-defined Class S.

03.24.15 Rev 14

All data sheets are subject to change without notice

(858) 503-3300- Fax: (858) 503-3301 - www.maxwell.com

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描述	EEPROM, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, LDFP-32	EEPROM, 128KX8, 120ns, Parallel, CMOS, LDFP-32	EEPROM, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, LDFP-32	EEPROM, 128KX8, 150ns, Parallel, CMOS, LDFP-32	EEPROM, 128KX8, 120ns, Parallel, CMOS, LDFP-32	EEPROM, 128KX8, 120ns, Parallel, CMOS, LDFP-32	EEPROM,	EEPROM,	EEPROM, 128KX8, 120ns, Parallel, CMOS, LDFP-32
Reach Compliance Code	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli	compli
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	-	不符合	不符合	不符合	-	不符合
包装说明	LDFP-32	LDFP-32	LDFP-32	LDFP-32	LDFP-32	LDFP-32	-	-	LDFP-32
ECCN代码	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	-	-	3A001.A.2.C
最长访问时间	200 ns	120 ns	200 ns	150 ns	120 ns	120 ns	-	-	120 ns
JESD-30 代码	R-XDFP-F32	R-XDFP-F32	R-XDFP-F32	R-XDFP-F32	R-XDFP-F32	R-XDFP-F32	-	-	R-XDFP-F32
长度	20.828 mm	20.828 mm	20.828 mm	20.828 mm	20.828 mm	20.828 mm	-	-	20.828 mm
内存密度	1048576 bi	1048576 bi	1048576 bi	1048576 bi	1048576 bi	1048576 bi	-	-	1048576 bi
内存集成电路类型	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	-	-	EEPROM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	-	-	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	-	-	1
端子数量	32	32	32	32	32	32	-	-	32
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	-	-	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000	128000	128000	-	-	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	-	-	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	-	-	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-	-	-55 °C
组织	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	-	-	128KX8
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	-	-	UNSPECIFIED
封装代码	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP	DFP	-	-	DFP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	-	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	-	-	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	-	-	PARALLEL
编程电压	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	-	-	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	-	Not Qualified
座面最大高度	2.4384 mm	2.4384 mm	3.6322 mm	3.6322 mm	2.4384 mm	2.4384 mm	-	-	2.4384 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	-	-	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	-	-	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	-	-	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	-	-	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	-	-	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	-	-	MILITARY
端子形式	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	-	-	FLAT
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	-	-	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	-	-	DUAL
总剂量	25k Rad(Si) V	-	100k Rad(Si) V	100k Rad(Si) V	10k Rad(Si) V	25k Rad(Si) V	-	-	40k Rad(Si) V
宽度	10.414 mm	10.414 mm	10.414 mm	10.414 mm	10.414 mm	10.414 mm	-	-	10.414 mm
最长写入周期时间 (tWC)	10 ms	10 ms	10 ms	10 ms	10 ms	10 ms	-	-	10 ms
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	-	-	-

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