IS61WV25616EDBLL-10TLI,IS61WV25616EDBLL-10TLI pdf中文资料,IS61WV25616EDBLL-10TLI引脚图,IS61WV25616EDBLL-10TLI电路-Datasheet-电子工程世界

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IS61WV25616EDBLL-10TLI: 产品描述Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44; 产品类别存储存储; 文件大小655KB，共14页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI ); 标准

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IS61WV25616EDBLL-10TLI概述

Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44

IS61WV25616EDBLL-10TLI规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	TSOP2
包装说明	TSOP2, TSOP44,.46,32
针数	44
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	3A991.B.2.A
Factory Lead Time	8 weeks
最长访问时间	10 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G44
JESD-609代码	e3
长度	18.41 mm
内存密度	4194304 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	16
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	44
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	256KX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装等效代码	TSOP44,.46,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	2.5/3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大待机电流	0.006 A
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.035 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.4 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	TIN
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	10
宽度	10.16 mm
Base Number Matches	1

IS61WV25616EDBLL-10TLI相似产品对比

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描述	Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44	Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PBGA48, BGA-48	Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PBGA48, BGA-48	Application Specific SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PBGA48	Standard SRAM	Application Specific SRAM, 256KX16, 8ns, CMOS, PBGA48
是否Rohs认证	符合	符合	不符合	不符合	符合	符合
包装说明	TSOP2, TSOP44,.46,32	TFBGA, BGA48,6X8,30	TFBGA, BGA48,6X8,30	TFBGA, BGA48,6X8,30	,	TFBGA, BGA48,6X8,30
Reach Compliance Code	compli	compli	compliant	compliant	compliant	compliant
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	APPLICATION SPECIFIC SRAM	STANDARD SRAM	APPLICATION SPECIFIC SRAM
是否无铅	不含铅	-	-	含铅	不含铅	不含铅
Factory Lead Time	8 weeks	12 weeks	-	-	8 weeks	8 weeks
最长访问时间	10 ns	10 ns	10 ns	10 ns	-	8 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	-	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G44	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48	-	R-PBGA-B48
长度	18.41 mm	8 mm	8 mm	8 mm	-	8 mm
内存密度	4194304 bi	4194304 bi	4194304 bit	4194304 bit	-	4194304 bit
内存宽度	16	16	16	16	-	16
湿度敏感等级	3	-	-	1	1	1
功能数量	1	1	1	1	-	1
端子数量	44	48	48	48	-	48
字数	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	-	262144 words
字数代码	256000	256000	256000	256000	-	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	-	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	125 °C	125 °C	125 °C	-	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-	-40 °C
组织	256KX16	256KX16	256KX16	256KX16	-	256KX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2	TFBGA	TFBGA	TFBGA	-	TFBGA
封装等效代码	TSOP44,.46,32	BGA48,6X8,30	BGA48,6X8,30	BGA48,6X8,30	-	BGA48,6X8,30
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	-	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	-	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	-	-	225	225	225
电源	2.5/3.3 V	2.5/3.3 V	2.5/3.3 V	2.5/3.3 V	-	2.5/3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	-	1.2 mm
最大待机电流	0.006 A	0.015 A	0.015 A	0.015 A	-	0.006 A
最小待机电流	2 V	2 V	2 V	2 V	-	2 V
最大压摆率	0.035 mA	0.05 mA	0.05 mA	0.05 mA	-	0.045 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	-	3.63 V
最小供电电压 (Vsup)	2.4 V	2.4 V	2.4 V	2.4 V	-	2.97 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3 V	3 V	3 V	-	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	-	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	-	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	-	INDUSTRIAL
端子形式	GULL WING	BALL	BALL	BALL	-	BALL
端子节距	0.8 mm	0.75 mm	0.75 mm	0.75 mm	-	0.75 mm
端子位置	DUAL	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	-	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	10	-	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	10.16 mm	6 mm	6 mm	6 mm	-	6 mm
Base Number Matches	1	1	1	1	-	-

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