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IS64WV25616EDBLL-10BLA3

产品描述Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PBGA48, BGA-48
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文件大小655KB,共14页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
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IS64WV25616EDBLL-10BLA3概述

Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PBGA48, BGA-48

IS64WV25616EDBLL-10BLA3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码DSBGA
包装说明TFBGA, BGA48,6X8,30
针数48
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码3A991.B.2.A
Factory Lead Time12 weeks
最长访问时间10 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B48
长度8 mm
内存密度4194304 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度16
功能数量1
端子数量48
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
组织256KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA48,6X8,30
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
电源2.5/3.3 V
认证状态Not Qualified
筛选级别AEC-Q100
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.015 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.4 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子形式BALL
端子节距0.75 mm
端子位置BOTTOM
宽度6 mm
Base Number Matches1

IS64WV25616EDBLL-10BLA3相似产品对比

IS64WV25616EDBLL-10BLA3 IS61WV25616EDBLL-10TLI IS64WV25616EDBLL-10BA3 IS64WV25616EDBLL-10BA3-TR IS61WV25616EDBLL-10TLI-TR IS61WV25616EDBLL-8BLI
描述 Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PBGA48, BGA-48 Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PBGA48, BGA-48 Application Specific SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PBGA48 Standard SRAM Application Specific SRAM, 256KX16, 8ns, CMOS, PBGA48
是否Rohs认证 符合 符合 不符合 不符合 符合 符合
包装说明 TFBGA, BGA48,6X8,30 TSOP2, TSOP44,.46,32 TFBGA, BGA48,6X8,30 TFBGA, BGA48,6X8,30 , TFBGA, BGA48,6X8,30
Reach Compliance Code compli compli compliant compliant compliant compliant
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM APPLICATION SPECIFIC SRAM STANDARD SRAM APPLICATION SPECIFIC SRAM
Factory Lead Time 12 weeks 8 weeks - - 8 weeks 8 weeks
最长访问时间 10 ns 10 ns 10 ns 10 ns - 8 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON - COMMON
JESD-30 代码 R-PBGA-B48 R-PDSO-G44 R-PBGA-B48 R-PBGA-B48 - R-PBGA-B48
长度 8 mm 18.41 mm 8 mm 8 mm - 8 mm
内存密度 4194304 bi 4194304 bi 4194304 bit 4194304 bit - 4194304 bit
内存宽度 16 16 16 16 - 16
功能数量 1 1 1 1 - 1
端子数量 48 44 48 48 - 48
字数 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words - 262144 words
字数代码 256000 256000 256000 256000 - 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 85 °C 125 °C 125 °C - 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C - -40 °C
组织 256KX16 256KX16 256KX16 256KX16 - 256KX16
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE - 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA TSOP2 TFBGA TFBGA - TFBGA
封装等效代码 BGA48,6X8,30 TSOP44,.46,32 BGA48,6X8,30 BGA48,6X8,30 - BGA48,6X8,30
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH - GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL - PARALLEL
电源 2.5/3.3 V 2.5/3.3 V 2.5/3.3 V 2.5/3.3 V - 2.5/3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm - 1.2 mm
最大待机电流 0.015 A 0.006 A 0.015 A 0.015 A - 0.006 A
最小待机电流 2 V 2 V 2 V 2 V - 2 V
最大压摆率 0.05 mA 0.035 mA 0.05 mA 0.05 mA - 0.045 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V - 3.63 V
最小供电电压 (Vsup) 2.4 V 2.4 V 2.4 V 2.4 V - 2.97 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V 3.3 V 3 V 3 V - 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES - YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS - CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE INDUSTRIAL AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE - INDUSTRIAL
端子形式 BALL GULL WING BALL BALL - BALL
端子节距 0.75 mm 0.8 mm 0.75 mm 0.75 mm - 0.75 mm
端子位置 BOTTOM DUAL BOTTOM BOTTOM - BOTTOM
宽度 6 mm 10.16 mm 6 mm 6 mm - 6 mm
Base Number Matches 1 1 1 1 - -
是否无铅 - 不含铅 - 含铅 不含铅 不含铅
湿度敏感等级 - 3 - 1 1 1
峰值回流温度(摄氏度) - 260 - 225 225 225
处于峰值回流温度下的最长时间 - 10 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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