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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> NESG250134-T1
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NESG250134-T1

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon Germanium, NPN, LEAD FREE, POWER, MINIMOLD, 34, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小154KB，共14页
制造商NEC(日电)
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NESG250134-T1概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon Germanium, NPN, LEAD FREE, POWER, MINIMOLD, 34, 3 PIN

NESG250134-T1规格参数

参数名称属性值
厂商名称NEC(日电)
包装说明LEAD FREE, POWER, MINIMOLD, 34, 3 PIN
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压9.2 V
配置SINGLE
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PSSO-F3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON GERMANIUM
标称过渡频率 (fT)10000 MHz

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DATA SHEET
NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR
NESG250134
NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR
MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (800 mW)
3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)
FEATURES
• This product is suitable for medium output power (800 mW) amplification
P
O
= 29 dBm TYP. @ V
CE
= 3.6 V, P
in
= 15 dBm, f = 460 MHz
P
O
= 29 dBm TYP. @ V
CE
= 3.6 V, P
in
= 20 dBm, f = 900 MHz
• MSG (Maximum Stable Gain) = 23 dB TYP., @ V
CE
= 3.6 V, Ic = 100 mA, f = 460 MHz
• Using UHS2-HV process (SiGe technology), V
CBO
(ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS) = 20 V
• 3-pin power minimold (34 PKG)
ORDERING INFORMATION
Part Number
NESG250134
Order Number
NESG250134-AZ
Package
3-pin power minimold
(Pb-Free)
NESG250134-T1
NESG250134-T1-AZ
Note1, 2
Quantity
25 pcs
(Non reel)
1 kpcs/reel
• Magazine case
Supplying Form
• 12 mm wide embossed taping
• Pin 2 (Emitter) face the perforation side of the tape
Notes 1.
Contains lead in the part except the electrode terminals.
2.
With regards to terminal solder (the solder contains lead) plated products (conventionally plated), contact
your nearby sales office.
Remark
To order evaluation samples, contact your nearby sales office.
Unit sample quantity is 25 pcs.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= +25°C)
Parameter
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
2
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
Note
Ratings
20
9.2
2.8
500
1.9
150
−65
to +150
Unit
V
V
V
mA
W
°C
°C
T
j
T
stg
Note
Mounted on 34.2 cm
×
0.8 mm (t) glass epoxy PWB
Caution Observe precautions when handling because these devices are sensitive to electrostatic discharge.
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please confirm that
this is the latest version.
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC Compound Semiconductor Devices
representative for availability and additional information.
Document No. PU10422EJ03V0DS (3rd edition)
Date Published October 2004 CP(K)
Printed in Japan
The mark
shows major revised points.
NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd. 2003, 2004

NESG250134-T1相似产品对比

NESG250134-T1 NESG250134-T1-AZFB NESG250134-AZ NESG250134-AZFB NESG250134-T1-AZ NESG250134-T1FB NESG250134
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon Germanium, NPN, LEAD FREE, POWER, MINIMOLD, 34, 3 PIN RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon Germanium, NPN, LEAD FREE, POWER, MINIMOLD, 34, 3 PIN RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, MINIMOLD PACKAGE-3 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon Germanium, NPN, LEAD FREE, POWER, MINIMOLD, 34, 3 PIN RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, MINIMOLD PACKAGE-3 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon Germanium, NPN, MINIMOLD PACKAGE-3 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon Germanium, NPN, LEAD FREE, POWER, MINIMOLD, 34, 3 PIN
厂商名称 NEC(日电) NEC(日电) NEC(日电) NEC(日电) NEC(日电) NEC(日电) NEC(日电)
包装说明 LEAD FREE, POWER, MINIMOLD, 34, 3 PIN LEAD FREE, POWER, MINIMOLD, 34, 3 PIN MINIMOLD PACKAGE-3 LEAD FREE, POWER, MINIMOLD, 34, 3 PIN MINIMOLD PACKAGE-3 MINIMOLD PACKAGE-3 LEAD FREE, POWER, MINIMOLD, 34, 3 PIN
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown compliant unknown
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A
集电极-发射极最大电压 9.2 V 9.2 V 9.2 V 9.2 V 9.2 V 4.5 V 9.2 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3
元件数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
端子形式 FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON GERMANIUM SILICON GERMANIUM SILICON SILICON GERMANIUM SILICON SILICON GERMANIUM SILICON GERMANIUM
标称过渡频率 (fT) 10000 MHz 10000 MHz 10000 MHz 10000 MHz 10000 MHz 10000 MHz 10000 MHz

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