Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> NESG250134-AZ

NESG250134-AZ: 产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, MINIMOLD PACKAGE-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小154KB，共14页; 制造商NEC(日电)

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NESG250134-AZ概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, MINIMOLD PACKAGE-3

NESG250134-AZ规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	NEC(日电)
包装说明	MINIMOLD PACKAGE-3
Reach Compliance Code	unknown
外壳连接	EMITTER
最大集电极电流 (IC)	0.5 A
集电极-发射极最大电压	9.2 V
配置	SINGLE
最高频带	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码	R-PSSO-F3
元件数量	1
端子数量	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	FLAT
端子位置	SINGLE
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	10000 MHz

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DATA SHEET

NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR

NESG250134

NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR

MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (800 mW)

3-PIN POWER MINIMOLD (34 PKG)

FEATURES

• This product is suitable for medium output power (800 mW) amplification

= 29 dBm TYP. @ V

= 3.6 V, P

= 15 dBm, f = 460 MHz

= 29 dBm TYP. @ V

= 3.6 V, P

= 20 dBm, f = 900 MHz

• MSG (Maximum Stable Gain) = 23 dB TYP., @ V

= 3.6 V, Ic = 100 mA, f = 460 MHz

• Using UHS2-HV process (SiGe technology), V

CBO

(ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS) = 20 V

• 3-pin power minimold (34 PKG)

ORDERING INFORMATION

Part Number

NESG250134

Order Number

NESG250134-AZ

Package

3-pin power minimold

(Pb-Free)

NESG250134-T1

NESG250134-T1-AZ

Note1, 2

Quantity

25 pcs

(Non reel)

1 kpcs/reel

• Magazine case

Supplying Form

• 12 mm wide embossed taping

• Pin 2 (Emitter) face the perforation side of the tape

Notes 1.

Contains lead in the part except the electrode terminals.

With regards to terminal solder (the solder contains lead) plated products (conventionally plated), contact

your nearby sales office.

Remark

To order evaluation samples, contact your nearby sales office.

Unit sample quantity is 25 pcs.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

= +25°C)

Parameter

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

Total Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Symbol

CBO

CEO

EBO

tot

Note

Ratings

9.2

2.8

500

1.9

150

−65

to +150

Unit

°C

stg

Note

Mounted on 34.2 cm

0.8 mm (t) glass epoxy PWB

Caution Observe precautions when handling because these devices are sensitive to electrostatic discharge.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please confirm that

this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC Compound Semiconductor Devices

representative for availability and additional information.

Document No. PU10422EJ03V0DS (3rd edition)

Date Published October 2004 CP(K)

Printed in Japan

The mark

shows major revised points.



NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd. 2003, 2004

NESG250134-AZ相似产品对比

	NESG250134-AZ	NESG250134-T1-AZFB	NESG250134-AZFB	NESG250134-T1-AZ	NESG250134-T1	NESG250134-T1FB	NESG250134
描述	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, MINIMOLD PACKAGE-3	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon Germanium, NPN, LEAD FREE, POWER, MINIMOLD, 34, 3 PIN	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon Germanium, NPN, LEAD FREE, POWER, MINIMOLD, 34, 3 PIN	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, MINIMOLD PACKAGE-3	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon Germanium, NPN, LEAD FREE, POWER, MINIMOLD, 34, 3 PIN	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon Germanium, NPN, MINIMOLD PACKAGE-3	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon Germanium, NPN, LEAD FREE, POWER, MINIMOLD, 34, 3 PIN
厂商名称	NEC(日电)	NEC(日电)	NEC(日电)	NEC(日电)	NEC(日电)	NEC(日电)	NEC(日电)
包装说明	MINIMOLD PACKAGE-3	LEAD FREE, POWER, MINIMOLD, 34, 3 PIN	LEAD FREE, POWER, MINIMOLD, 34, 3 PIN	MINIMOLD PACKAGE-3	LEAD FREE, POWER, MINIMOLD, 34, 3 PIN	MINIMOLD PACKAGE-3	LEAD FREE, POWER, MINIMOLD, 34, 3 PIN
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	compliant	unknown
最大集电极电流 (IC)	0.5 A	0.5 A	0.5 A	0.5 A	0.5 A	0.5 A	0.5 A
集电极-发射极最大电压	9.2 V	9.2 V	9.2 V	9.2 V	9.2 V	4.5 V	9.2 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最高频带	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码	R-PSSO-F3	R-PSSO-F3	R-PSSO-F3	R-PSSO-F3	R-PSSO-F3	R-PSSO-F3	R-PSSO-F3
元件数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
端子形式	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON GERMANIUM	SILICON GERMANIUM	SILICON	SILICON GERMANIUM	SILICON GERMANIUM	SILICON GERMANIUM
标称过渡频率 (fT)	10000 MHz	10000 MHz	10000 MHz	10000 MHz	10000 MHz	10000 MHz	10000 MHz

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