Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HY57V641620HGLT-K

文档预览

HY57V641620HGLT-K: 产品描述Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54; 产品类别存储存储; 文件大小83KB，共12页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/

下载文档详细参数选型对比全文预览

HY57V641620HGLT-K概述

Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54

HY57V641620HGLT-K规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	TSOP2
包装说明	TSOP2, TSOP54,.46,32
针数	54
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	5.4 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G54
JESD-609代码	e6
长度	22.23 mm
内存密度	67108864 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	54
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装等效代码	TSOP54,.46,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
座面最大高度	1.194 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.002 A
最大压摆率	0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN BISMUTH
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL
宽度	10.16 mm

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

HY57V641620HG

4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM

D E S C R IP T IO N

The Hynix HY57V641620HG is a 67,108,864-bit CMOS Synchronous DRAM, ideally suited for the main memory applications which

require large memory density and high bandwidth. HY57V641620HG is organized as 4banks of 1,048,576x16.

HY57V641620HG is offering fully synchronous operation referenced to a positive edge of the clock. All inputs and outputs are synchro-

nized with the rising edge of the clock input. The data paths are internally pipelined to achieve very high bandwidth. All input and output

voltage levels are compatible with LVTTL.

Programmable options include the length of pipeline (Read latency of 2 or 3), the number of consecutive read or write cycles initiated

by a single control command (Burst length of 1,2,4,8 or Full page), and the burst count sequence(sequential or interleave). A burst of

read or write cycles in progress can be terminated by a burst terminate command or can be interrupted and replaced by a new burst

read or write command on any cycle. (This pipelined design is not restricted by a `2N` rule.)

FEATURES

•

Single 3.3±

0 . 3 V

power supply

Note)

•

Auto refresh and self refresh

4096 refresh cycles / 64ms

Programmable Burst Length and Burst Type

- 1, 2, 4, 8 or Full page for Sequential Burst

All device pins are compatible with LVTTL interface

JEDEC standard 400mil 54pin TSOP-II with 0.8mm

of pin pitch

•

All inputs and outputs referenced to positive edge of

system clock

- 1, 2, 4 or 8 for Interleave Burst

•

Programmable CAS Latency ; 2, 3 Clocks

•

Data mask function by UDQM or LDQM

Internal four banks operation

O R D E R IN G IN F O R M A T IO N

Part No.

HY57V641620HGT-5/55/6/7

HY57V641620HGT-K

HY57V641620HGT-H

HY57V641620HGT-8

HY57V641620HGT-P

HY57V641620HGT-S

HY57V641620HGLT-5/55/6/7

HY57V641620HGLT-K

HY57V641620HGLT-H

HY57V641620HGLT-8

HY57V641620HGLT-P

HY57V641620HGLT-S

C lock Frequency

200/183/166/143MHz

133MHz

Power

Organization

Interface

Package

Normal

125MHz

100MHz

200/183/166/143MHz

133MHz

Low power

125MHz

100MHz

4Banks x 1Mbits

x16

LVTTL

400mil 54pin TSOP II

N o t e : V D D ( M in ) o f H Y 5 7 V 6 4 1 6 2 0 H G ( L ) T - 5 /5 5 / 6 i s 3 . 1 3 5 V

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hyundai Electronics does not assume any responsibility for use of

circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 0.5/Jun.01

HY57V641620HGLT-K相似产品对比

	HY57V641620HGLT-K	HY57V641620HGLT-6	HY57V641620HGLT-8	HY57V641620HGLT-H	HY57V641620HGLT-S	HY57V641620HGLT-5	HY57V641620HGLT-55	HY57V641620HGLT-7
描述	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 4MX16, 4.5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 4MX16, 5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2
包装说明	TSOP2, TSOP54,.46,32	TSOP2, TSOP54,.46,32	TSOP2, TSOP54,.46,32	TSOP2, TSOP54,.46,32	TSOP2, TSOP54,.46,32	TSOP2, TSOP54,.46,32	TSOP2, TSOP54,.46,32	TSOP2, TSOP54,.46,32
针数	54	54	54	54	54	54	54	54
Reach Compliance Code	unknown	compliant	compliant	unknown	unknown	unknown	compliant	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	5.4 ns	5.4 ns	6 ns	5.4 ns	6 ns	4.5 ns	5 ns	5.4 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz	166 MHz	125 MHz	133 MHz	100 MHz	200 MHz	182 MHz	143 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54
长度	22.23 mm	22.23 mm	22.23 mm	22.23 mm	22.23 mm	22.23 mm	22.23 mm	22.23 mm
内存密度	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	16	16	16	16	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	54	54	54	54	54	54	54	54
字数	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words
字数代码	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	4MX16	4MX16	4MX16	4MX16	4MX16	4MX16	4MX16	4MX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2
封装等效代码	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	4096	4096	4096	4096	4096
座面最大高度	1.194 mm	1.194 mm	1.194 mm	1.194 mm	1.194 mm	1.194 mm	1.194 mm	1.194 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
连续突发长度	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.002 A	0.002 A	0.002 A	0.002 A	0.002 A	0.002 A	0.002 A	0.002 A
最大压摆率	0.16 mA	0.16 mA	0.16 mA	0.16 mA	0.16 mA	0.17 mA	0.16 mA	0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3.135 V	3 V	3 V	3 V	3.135 V	3.135 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm
JESD-609代码	e6	-	-	e6	e6	e6	-	e6
端子面层	TIN BISMUTH	-	-	TIN BISMUTH	TIN BISMUTH	TIN BISMUTH	-	TIN BISMUTH

推荐资源

DSP电源解决方案: DSP电源解决方案...; 安_然 DSP 与 ARM 处理器

代码阅读器第一个版本, 请大家试试: 代码阅读器第一个版本, 请大家试试 http://code-search.kingofcoder.com/...; bingshan1129 嵌入式系统

Helper2416-19——裸机第十弹——S3C2416中断控制器+定时器中断实践（附源码）: 本帖最后由 yuanlai2010 于 2014-7-26 20:16 编辑裸机第十弹——S3C2416中断控制器+定时器中断实践参与Helper2416开发板助学计划心得看了下S3C2416的中断控制器的配置还是比较简单的 ......; yuanlai2010 嵌入式系统

MSP430和CC1101的唤醒设计: 随着计算机通信技术的迅速发展和因特网的广泛应用，尤其是工业控制领域的应用越来越广泛，物与物之间能够直接通信就变得愈加重要。特别是在仓储系统中，目前主要使用无源RFID（Radio Frequenc ......; Jacktang 微控制器 MCU

说一下MSP430硬件I2C使用方法: 硬件的I2C控制器终于调出来了，其实最好的参考资料还是TI官方提供的。代码参考了MSP430的User’s Guide和ApplicationNote，下面提供IAR工程并做简要解释：采用的芯片：MSP430F1611（USART0 Mast ......; Jacktang 微控制器 MCU

智能电机开发。。高手请进。。: 我们公司刚从国外引进一种电机。让我们来做开发。。。这种电机我们可以通过usb ，通过现场总线（can总线），modbus对其进行控制。好像选用瑞士的saia 的plc 接口板卡都已经做好。。。。现在公 ......; makun 嵌入式系统

QuickLogic CSSP平台升级方案针对智能手机

2008 年 7 月 9 日 QuickLogic® 公司宣布，为智能手机开发商提供了一种通用的升级方案。 QuickLogic 近期在其针对消费电子的低功率、可配置 CSSP 平台产品功能库中添加了高速 UART ，为移动应用处理器提供了一个高效单芯片解决方案，从而扩充接入能力以支持高传输速率蓝牙，并具备进一步集成其它高水准外设，如 GPS ，的能力。 ...[详细]
2006年中国的RFID产业的回顾与展望

　　我们在2006年的最后一天，盘点一年里RFID产业的发展里程。在“十一五”开局之年，发展政策与规划纷纷出台，引导RFID产业沿着自主、创新、开放和健康的秩序发展，技术创新与应用呈现破茧之势，整个RFID行业正在走出混沌，迎接曙光。　　【RFID射频快报2006年12月31日专稿】我们在2006年的最后一天，盘点一年里RFID产业的发展里程。在“十一五”开局之年，发展政策与规划纷纷出台，引...[详细]
家用医疗电子设备设计指南

　　美国食品与药物管理局(FDA)指出：在医疗设备产业中，家庭卫生保健是发展最快的领域。受到人类平均寿命延长，慢性病患者越来越多以及保健成本越来越高等原因的推动，越来越多更“智能”、“友好”的医疗设备正在进入家庭消费市场。　　这些医疗保健产品包括：血糖仪、数字血压计、血气分析仪、数字脉搏和心率监视器、数字温度计、怀孕测试仪、透皮给药系统、透析系统和氧浓缩器等。其中许多仪器可以用无线方式通过互...[详细]
高速CMOS图像传感器及发展趋势

　　传感器架构可由两分式、四分式或一个像素阵列组成。输出可为并行模拟输出，或一个10位数字输出或数字串行 LVDS输出。每个输出可高达每秒5,000万次的采样速度，这样就能实现每秒55亿像素的吞吐量。迄今为止，该图像传感器是具有最高连续像素吞吐量的一款。图像质量至少达到10位精度，因此摄像头数字化之后，数据吞吐量可为每秒55Gbit。这样高速的应用通常需要6个电晶体快照像素，且需要较高的灵敏度和...[详细]
欧司朗推出发光二极管数据文件的互联网平台

2008年7月9日，欧司朗光电半导体率先推出发光二极管光线数据文件的互联网访问平台，是全球第一家提供该类互联网资源的 LED 制造商。这些光线文件不仅描述 LED 光线的发射模式，而且还包含发射点坐标、发射方向、光线强度和波长等信息。欧司朗的互联网信息资源涵盖包括红外发光二极管 (IRED) 在内的几乎所有 LED 产品组合。透过这平台，客户们不论白天或黑夜，随时都可以获取最新的数据，这无疑为他...[详细]
TI针对金属应用推出两款低频RFID产品

2008 年 7 月 10 日德州仪器 (TI) 宣布推出 12 毫米多用途楔形应答器及 24 毫米低频圆形电子标签，进一步扩大了其低频产品系列阵营。 12 毫米多用途楔形应答器对芯片电路进行了改进，可直接安装于金属上；而 24 毫米低频圆形电子标签则采用 TI 专利调谐工艺制造而成，可提升废物处理及工业生产等应用...[详细]
合众达电子与中国科大再建Xilinx联合实验室

　　7月9日上午，中国科技大学与美国赛灵思(XILINX)联合建设的“中国科技大学—XILINX公司联合实验室”揭牌仪式在中国科技大学信息科学技术学院电子科学与技术系隆重举行。　　联合实验室采用了Xilinx公司SPARTAN-3E系列为主的FPGA教学实验开发系统，另外配备多套开发软件，主要承担了中国科技大学“PLD与数字系统设计”研究生课程和电子科学与技术系“电子系统设计”课程的教学任务...[详细]
前端IC决定超声系统整体性能

　　超声系统是目前广泛使用的最精密复杂的信号处理仪器之一。像任何复杂的仪器一样，由于性能、物理和成本要求的原因，实现时要做出许多权衡。掌握一些系统级的知识对于充分了解所要求前端IC的功能和性能水平是很必要的，尤其是低噪声放大器(LNA)、时间增益补偿放大器(TGC，一种可变增益放大器)和模数转换器(ADC)。这些模拟信号处理IC是决定系统整体性能的关键因素。前端IC的特性规定了系统性能的限度，一...[详细]
传感器的应用前景

　　传感器已大举进军汽车、医疗、工业和航天应用领域。但您也许尚未看到任何变化。在安全、便利、娱乐以及效率因素等方面日益增长的需求，加上世界各地政府的法令将会使传感器的应用得到空前膨胀。　　除了预计传感器将在无线和消费品领域应用的急剧膨胀之外，您还会明白为何传感器生产商有望在2010年结束前迅速开发庞大的市场和应用领域。这些传感器中的大多数将是微机电系统(MEMS)和微系统技术(MST)类型，以...[详细]
个人医疗设备系统解决方案

　　试着想象　　肾上腺素在撞击着您身体的每一个部位，心跳开始加速，感觉兴奋不已。在刚才的跑步训练中，您取得了一个最好成绩。当您结束训练并锁定练习计时器之后，可以将得到的数据上传提交给您的教练。　　但在此之前，您应该首先去看望您的父亲。他住在这个国家的另一端，而且经常不记得服用降压药。然后，您还要将葡萄糖测量结果发送给您的糖尿病主治医生。虽然夜深了，但是您还要花几分钟时间来浏览和上传这...[详细]
丁希仑：快乐“机器人”

　　“就好像变形金刚”，丁希仑这么描述他的机器人。　　当讲到飞船上的太阳帆板张开时，他的双臂直直地向两侧伸出，而讲到飞行器加速，他的胳膊贴紧两肋，好像那就是收拢的翅膀。提起机器人行走，他的上身微微扭动；有时，他会用一双结实的手转动一副不存在的旋柄。　　丁希仑，中国首屈一指的空间机器人专家，身高182，形色稳重，言语朴实，但介绍他的机器人时，动作丰富，常有笑容。　　丁教授声音温和，略带口音...[详细]
芯片实验室及其发展趋势

　　一、前言　　芯片实验室（Lab-on-a-chip）或称微全分析系统（Miniaturized Total Analysis System, µ-TAS）是指把生物和化学等领域中所涉及的样品制备、生物与化学反应、分离检测等基本操作单位集成或基本集成一块几平方厘米的芯片上，用以完成不同的生物或化学反应过程，并对其产物进行分析的一种技术。它是通过分析化学、微机电加工（MEMS）、计算机、电...[详细]
基于MSP430设计的微型家用心电图机

　　本文介绍了一种微型家用心电图机。该仪器具有强大的功能：显示监测、存储、回放、打印、记录管理、电源报警、电话或者互联网络传输。与其他心电图机的突出不同之处在于，本系统采用新型低功耗的16位单片机--MSP430 F135作为整个系统的控制核心，并配备相应的16位低功耗存储器AT29LV1024和液晶显示模块LMS0192A，从而简化了系统硬件电路，同时也大大降低了系统成本，因而该家用心...[详细]
尽可能提高测试系统利用效率的三种策略

　　尽可能提高仪器利用率减少测试次数　　增加自动化测试系统的吞吐量可以提高效率。使用例如多核处理器、PCI Express、现场可编程门阵列（FPGA）以及NI LabVIEW软件等成品工具（COTS），可以建立并行处理和并行测量系统，从而能够在最短的时间内测试单一被测单元（UUT）。并行测试明显地降低了总测试次数，并且提高了仪器利用率（见图1），但是开发并行测试系统的复杂性是很高的。开...[详细]
深圳：IC设计基地集聚效应显现

　　深圳基地实施的策略是：建立专业化的开放的公共技术服务平台，提供全面的技术服务。通过建设IC设计专业孵化器，孵小扶强，降低门槛，提高水平，全面服务于整个产业链，为芯片设计、系统厂商、生产制造、市场销售、风险投资等各环节的合作牵线搭桥，达到全面整合、联合、组合和聚合深圳IC设计企业和人才的效果。　　深圳集成电路设计产业化基地管理中心副主任周生明　　深圳IC设计产业化基地全面服务...[详细]

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多