Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HY57V641620HGLT-H

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HY57V641620HGLT-H: 产品描述Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54; 产品类别存储存储; 文件大小83KB，共12页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/

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HY57V641620HGLT-H概述

Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54

HY57V641620HGLT-H规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	TSOP2
包装说明	TSOP2, TSOP54,.46,32
针数	54
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	5.4 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G54
JESD-609代码	e6
长度	22.23 mm
内存密度	67108864 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	54
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装等效代码	TSOP54,.46,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
座面最大高度	1.194 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.002 A
最大压摆率	0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN BISMUTH
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL
宽度	10.16 mm

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HY57V641620HG

4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM

D E S C R IP T IO N

The Hynix HY57V641620HG is a 67,108,864-bit CMOS Synchronous DRAM, ideally suited for the main memory applications which

require large memory density and high bandwidth. HY57V641620HG is organized as 4banks of 1,048,576x16.

HY57V641620HG is offering fully synchronous operation referenced to a positive edge of the clock. All inputs and outputs are synchro-

nized with the rising edge of the clock input. The data paths are internally pipelined to achieve very high bandwidth. All input and output

voltage levels are compatible with LVTTL.

Programmable options include the length of pipeline (Read latency of 2 or 3), the number of consecutive read or write cycles initiated

by a single control command (Burst length of 1,2,4,8 or Full page), and the burst count sequence(sequential or interleave). A burst of

read or write cycles in progress can be terminated by a burst terminate command or can be interrupted and replaced by a new burst

read or write command on any cycle. (This pipelined design is not restricted by a `2N` rule.)

FEATURES

•

Single 3.3±

0 . 3 V

power supply

Note)

•

Auto refresh and self refresh

4096 refresh cycles / 64ms

Programmable Burst Length and Burst Type

- 1, 2, 4, 8 or Full page for Sequential Burst

All device pins are compatible with LVTTL interface

JEDEC standard 400mil 54pin TSOP-II with 0.8mm

of pin pitch

•

All inputs and outputs referenced to positive edge of

system clock

- 1, 2, 4 or 8 for Interleave Burst

•

Programmable CAS Latency ; 2, 3 Clocks

•

Data mask function by UDQM or LDQM

Internal four banks operation

O R D E R IN G IN F O R M A T IO N

Part No.

HY57V641620HGT-5/55/6/7

HY57V641620HGT-K

HY57V641620HGT-H

HY57V641620HGT-8

HY57V641620HGT-P

HY57V641620HGT-S

HY57V641620HGLT-5/55/6/7

HY57V641620HGLT-K

HY57V641620HGLT-H

HY57V641620HGLT-8

HY57V641620HGLT-P

HY57V641620HGLT-S

C lock Frequency

200/183/166/143MHz

133MHz

Power

Organization

Interface

Package

Normal

125MHz

100MHz

200/183/166/143MHz

133MHz

Low power

125MHz

100MHz

4Banks x 1Mbits

x16

LVTTL

400mil 54pin TSOP II

N o t e : V D D ( M in ) o f H Y 5 7 V 6 4 1 6 2 0 H G ( L ) T - 5 /5 5 / 6 i s 3 . 1 3 5 V

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hyundai Electronics does not assume any responsibility for use of

circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 0.5/Jun.01

HY57V641620HGLT-H相似产品对比

	HY57V641620HGLT-H	HY57V641620HGLT-6	HY57V641620HGLT-8	HY57V641620HGLT-K	HY57V641620HGLT-S	HY57V641620HGLT-5	HY57V641620HGLT-55	HY57V641620HGLT-7
描述	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 4MX16, 4.5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 4MX16, 5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2
包装说明	TSOP2, TSOP54,.46,32	TSOP2, TSOP54,.46,32	TSOP2, TSOP54,.46,32	TSOP2, TSOP54,.46,32	TSOP2, TSOP54,.46,32	TSOP2, TSOP54,.46,32	TSOP2, TSOP54,.46,32	TSOP2, TSOP54,.46,32
针数	54	54	54	54	54	54	54	54
Reach Compliance Code	unknown	compliant	compliant	unknown	unknown	unknown	compliant	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	5.4 ns	5.4 ns	6 ns	5.4 ns	6 ns	4.5 ns	5 ns	5.4 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz	166 MHz	125 MHz	133 MHz	100 MHz	200 MHz	182 MHz	143 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54	R-PDSO-G54
长度	22.23 mm	22.23 mm	22.23 mm	22.23 mm	22.23 mm	22.23 mm	22.23 mm	22.23 mm
内存密度	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	16	16	16	16	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	54	54	54	54	54	54	54	54
字数	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words
字数代码	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	4MX16	4MX16	4MX16	4MX16	4MX16	4MX16	4MX16	4MX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2
封装等效代码	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32	TSOP54,.46,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	4096	4096	4096	4096	4096
座面最大高度	1.194 mm	1.194 mm	1.194 mm	1.194 mm	1.194 mm	1.194 mm	1.194 mm	1.194 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
连续突发长度	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.002 A	0.002 A	0.002 A	0.002 A	0.002 A	0.002 A	0.002 A	0.002 A
最大压摆率	0.16 mA	0.16 mA	0.16 mA	0.16 mA	0.16 mA	0.17 mA	0.16 mA	0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3.135 V	3 V	3 V	3 V	3.135 V	3.135 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm
JESD-609代码	e6	-	-	e6	e6	e6	-	e6
端子面层	TIN BISMUTH	-	-	TIN BISMUTH	TIN BISMUTH	TIN BISMUTH	-	TIN BISMUTH

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