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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> MS18R1628EH0-CM8
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MS18R1628EH0-CM8

产品描述Rambus DRAM Module, 128MX18, CMOS, SORIMM-160
产品类别存储    存储   
文件大小238KB，共14页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
标准
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MS18R1628EH0-CM8概述

Rambus DRAM Module, 128MX18, CMOS, SORIMM-160

MS18R1628EH0-CM8规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码DMA
包装说明DIMM, DIMM160,25
针数160
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式BLOCK ORIENTED PROTOCOL
其他特性SELF CONTAINED REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)800 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N160
内存密度2415919104 bit
内存集成电路类型RAMBUS DRAM MODULE
内存宽度18
功能数量1
端口数量1
端子数量160
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式SYNCHRONOUS
组织128MX18
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM160,25
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
电源1.8/2.5,2.5 V
认证状态Not Qualified
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)2.63 V
最小供电电压 (Vsup)2.37 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
端子形式NO LEAD
端子节距0.635 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

MS18R1628EH0-CM8相似产品对比

MS18R1628EH0-CM8 MS18R1628EH0-CK8 MS18R1628EH0-CT9 MS18R1624EH0-CK8 MS18R1624EH0-CM8 MS18R1624EH0-CT9 MS18R1622EH0-CT9 MS18R1622EH0-CM8 MS18R1622EH0-CK8
描述 Rambus DRAM Module, 128MX18, CMOS, SORIMM-160 Rambus DRAM Module, 128MX18, CMOS, SORIMM-160 Rambus DRAM Module, 128MX18, CMOS, SORIMM-160 Rambus DRAM Module, 64MX18, 45ns, CMOS, SORIMM-160 Rambus DRAM Module, 64MX18, 40ns, CMOS, SORIMM-160 Rambus DRAM Module, 64MX18, 32ns, CMOS, SORIMM-160 Rambus DRAM Module, 32MX18, 32ns, CMOS, SORIMM-160 Rambus DRAM Module, 32MX18, 40ns, CMOS, SORIMM-160 Rambus DRAM Module, 32MX18, 45ns, CMOS, SORIMM-160
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
零件包装代码 DMA DMA DMA DMA DMA DMA DMA DMA DMA
包装说明 DIMM, DIMM160,25 DIMM, DIMM160,25 DIMM, DIMM160,25 DIMM, DIMM160,25 DIMM, DIMM160,25 DIMM, DIMM160,25 DIMM, DIMM160,25 DIMM, DIMM160,25 DIMM, DIMM160,25
针数 160 160 160 160 160 160 160 160 160
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 BLOCK ORIENTED PROTOCOL BLOCK ORIENTED PROTOCOL BLOCK ORIENTED PROTOCOL BLOCK ORIENTED PROTOCOL BLOCK ORIENTED PROTOCOL BLOCK ORIENTED PROTOCOL BLOCK ORIENTED PROTOCOL BLOCK ORIENTED PROTOCOL BLOCK ORIENTED PROTOCOL
其他特性 SELF CONTAINED REFRESH SELF CONTAINED REFRESH SELF CONTAINED REFRESH SELF CONTAINED REFRESH SELF CONTAINED REFRESH SELF CONTAINED REFRESH SELF CONTAINED REFRESH SELF CONTAINED REFRESH SELF CONTAINED REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 800 MHz 800 MHz 1066 MHz 800 MHz 800 MHz 1066 MHz 1066 MHz 800 MHz 800 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N160 R-XDMA-N160 R-XDMA-N160 R-XDMA-N160 R-XDMA-N160 R-XDMA-N160 R-XDMA-N160 R-XDMA-N160 R-XDMA-N160
内存密度 2415919104 bit 2415919104 bit 2415919104 bit 1207959552 bit 1207959552 bit 1207959552 bit 603979776 bit 603979776 bit 603979776 bit
内存集成电路类型 RAMBUS DRAM MODULE RAMBUS DRAM MODULE RAMBUS DRAM MODULE RAMBUS DRAM MODULE RAMBUS DRAM MODULE RAMBUS DRAM MODULE RAMBUS DRAM MODULE RAMBUS DRAM MODULE RAMBUS DRAM MODULE
内存宽度 18 18 18 18 18 18 18 18 18
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 160 160 160 160 160 160 160 160 160
字数 134217728 words 134217728 words 134217728 words 67108864 words 67108864 words 67108864 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words
字数代码 128000000 128000000 128000000 64000000 64000000 64000000 32000000 32000000 32000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
组织 128MX18 128MX18 128MX18 64MX18 64MX18 64MX18 32MX18 32MX18 32MX18
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM160,25 DIMM160,25 DIMM160,25 DIMM160,25 DIMM160,25 DIMM160,25 DIMM160,25 DIMM160,25 DIMM160,25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 1.8/2.5,2.5 V 1.8/2.5,2.5 V 1.8/2.5,2.5 V 1.8/2.5,2.5 V 1.8/2.5,2.5 V 1.8/2.5,2.5 V 1.8/2.5,2.5 V 1.8/2.5,2.5 V 1.8/2.5,2.5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
自我刷新 YES YES YES YES YES YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 2.63 V 2.63 V 2.63 V 2.63 V 2.63 V 2.63 V 2.63 V 2.63 V 2.63 V
最小供电电压 (Vsup) 2.37 V 2.37 V 2.37 V 2.37 V 2.37 V 2.37 V 2.37 V 2.37 V 2.37 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 0.635 mm 0.635 mm 0.635 mm 0.635 mm 0.635 mm 0.635 mm 0.635 mm 0.635 mm 0.635 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最长访问时间 - - - 45 ns 40 ns 32 ns 32 ns 40 ns 45 ns

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