MS18R1622EH0-CT9,MS18R1622EH0-CT9 pdf中文资料,MS18R1622EH0-CT9引脚图,MS18R1622EH0-CT9电路-Datasheet-电子工程世界

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MS18R1622EH0-CT9: 产品描述Rambus DRAM Module, 32MX18, 32ns, CMOS, SORIMM-160; 产品类别存储存储; 文件大小238KB，共14页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/; 标准

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MS18R1622EH0-CT9概述

Rambus DRAM Module, 32MX18, 32ns, CMOS, SORIMM-160

MS18R1622EH0-CT9规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)
Objectid	2003861876
零件包装代码	DMA
包装说明	DIMM, DIMM160,25
针数	160
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
compound_id	9463076
访问模式	BLOCK ORIENTED PROTOCOL
最长访问时间	32 ns
其他特性	SELF CONTAINED REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	1066 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N160
内存密度	603979776 bit
内存集成电路类型	RAMBUS DRAM MODULE
内存宽度	18
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	160
字数	33554432 words
字数代码	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS
组织	32MX18
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM
封装等效代码	DIMM160,25
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	1.8/2.5,2.5 V
认证状态	Not Qualified
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.63 V
最小供电电压 (Vsup)	2.37 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.635 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

MS18R1622EH0-CT9相似产品对比

	MS18R1622EH0-CT9	MS18R1628EH0-CM8	MS18R1628EH0-CK8	MS18R1628EH0-CT9	MS18R1624EH0-CK8	MS18R1624EH0-CM8	MS18R1624EH0-CT9	MS18R1622EH0-CM8	MS18R1622EH0-CK8
描述	Rambus DRAM Module, 32MX18, 32ns, CMOS, SORIMM-160	Rambus DRAM Module, 128MX18, CMOS, SORIMM-160	Rambus DRAM Module, 128MX18, CMOS, SORIMM-160	Rambus DRAM Module, 128MX18, CMOS, SORIMM-160	Rambus DRAM Module, 64MX18, 45ns, CMOS, SORIMM-160	Rambus DRAM Module, 64MX18, 40ns, CMOS, SORIMM-160	Rambus DRAM Module, 64MX18, 32ns, CMOS, SORIMM-160	Rambus DRAM Module, 32MX18, 40ns, CMOS, SORIMM-160	Rambus DRAM Module, 32MX18, 45ns, CMOS, SORIMM-160
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	DMA	DMA	DMA	DMA	DMA	DMA	DMA	DMA	DMA
包装说明	DIMM, DIMM160,25	DIMM, DIMM160,25	DIMM, DIMM160,25	DIMM, DIMM160,25	DIMM, DIMM160,25	DIMM, DIMM160,25	DIMM, DIMM160,25	DIMM, DIMM160,25	DIMM, DIMM160,25
针数	160	160	160	160	160	160	160	160	160
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	BLOCK ORIENTED PROTOCOL
其他特性	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH	SELF CONTAINED REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	1066 MHz	800 MHz	800 MHz	1066 MHz	800 MHz	800 MHz	1066 MHz	800 MHz	800 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N160	R-XDMA-N160	R-XDMA-N160	R-XDMA-N160	R-XDMA-N160	R-XDMA-N160	R-XDMA-N160	R-XDMA-N160	R-XDMA-N160
内存密度	603979776 bit	2415919104 bit	2415919104 bit	2415919104 bit	1207959552 bit	1207959552 bit	1207959552 bit	603979776 bit	603979776 bit
内存集成电路类型	RAMBUS DRAM MODULE	RAMBUS DRAM MODULE	RAMBUS DRAM MODULE	RAMBUS DRAM MODULE	RAMBUS DRAM MODULE	RAMBUS DRAM MODULE	RAMBUS DRAM MODULE	RAMBUS DRAM MODULE	RAMBUS DRAM MODULE
内存宽度	18	18	18	18	18	18	18	18	18
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	160	160	160	160	160	160	160	160	160
字数	33554432 words	134217728 words	134217728 words	134217728 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words	33554432 words	33554432 words
字数代码	32000000	128000000	128000000	128000000	64000000	64000000	64000000	32000000	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
组织	32MX18	128MX18	128MX18	128MX18	64MX18	64MX18	64MX18	32MX18	32MX18
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM160,25	DIMM160,25	DIMM160,25	DIMM160,25	DIMM160,25	DIMM160,25	DIMM160,25	DIMM160,25	DIMM160,25
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V	1.8/2.5,2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V	2.63 V
最小供电电压 (Vsup)	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V	2.37 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	0.635 mm	0.635 mm	0.635 mm	0.635 mm	0.635 mm	0.635 mm	0.635 mm	0.635 mm	0.635 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
最长访问时间	32 ns	-	-	-	45 ns	40 ns	32 ns	40 ns	45 ns

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