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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> MJE222LEADFREE
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MJE222LEADFREE

产品描述Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小340KB，共2页
制造商Central Semiconductor
标准  
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MJE222LEADFREE概述

Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin,

MJE222LEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Central Semiconductor
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)4 A
基于收集器的最大容量50 pF
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
JEDEC-95代码TO-126
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值1.5 W
最大功率耗散 (Abs)15 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)10 MHz
VCEsat-Max2.5 V

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MJE220 THRU MJE225
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
NPN SILICON
POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR MJE220 series
types are NPN silicon power transistors, manufactured
by the epitaxial-base process, designed for general
purpose amplifier and switching applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
TO-126 CASE
MJE220
MJE221
MJE222
60
40
MJE223
MJE224
MJE225
80
60
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Peak Collector Current
Continuous Base Current
Power Dissipation
Power Dissipation (TC=25°C)
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
Thermal Resistance
ELECTRICAL
SYMBOL
ICBO
ICBO
IEBO
BVCEO
BVCEO
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VCE(SAT)
VBE(SAT)
VBE(ON)
hFE
hFE
hFE
hFE
hFE
hFE
fT
Cob
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
PD
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
Θ
JC
7.0
4.0
8.0
1.0
1.5
15
-65 to +150
83.4
8.34
UNITS
V
V
V
A
A
A
W
W
°C
°C/W
°C/W
CHARACTERISTICS:
(TC=25°C unless otherwise noted)
TEST CONDITIONS
MIN
VCB=Rated VCBO
VCB=Rated VCBO, TC=125°C
VEB=7.0V
IC=10mA (MJE220, MJE221, MJE222)
40
IC=10mA (MJE223, MJE224, MJE225)
60
IC=500mA, IB=50mA
IC=1.0A, IB=100mA (MJE221, MJE224)
IC=2.0A, IB=200mA (MJE220, MJE223)
IC=4.0A, IB=1.0A
IC=2.0A, IB=200mA
VCE=1.0V, IC=500mA
VCE=1.0V, IC=200mA (MJE220, MJE223)
40
VCE=1.0V, IC=200mA (MJE221, MJE224)
40
VCE=1.0V, IC=200mA (MJE222, MJE225)
25
VCE=1.0V, IC=1.0A (MJE221, MJE224)
20
VCE=1.0V, IC=1.0A (MJE222, MJE225)
10
VCE=1.0V, IC=2.0A (MJE220, MJE223)
20
VCE=10V, IC=100mA, f=10MHz
VCE=10V, IE=0, f=100kHz
TYP
MAX
100
100
100
0.3
0.6
0.8
2.5
1.8
1.5
200
150
UNITS
nA
μA
nA
V
V
V
V
V
V
V
V
10
50
MHz
pF
R2 (26-November 2012)

MJE222LEADFREE相似产品对比

MJE222LEADFREE MJE220LEADFREE MJE221LEADFREE MJE223LEADFREE MJE224LEADFREE MJE225LEADFREE
描述 Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin,
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor Central Semiconductor
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 4 A 4 A 4 A 4 A 4 A 4 A
基于收集器的最大容量 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF
集电极-发射极最大电压 40 V 40 V 40 V 60 V 60 V 60 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 10 20 20 20 20 10
JEDEC-95代码 TO-126 TO-126 TO-126 TO-126 TO-126 TO-126
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e3 e3
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） 260 260 260 260 260 260
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN
功耗环境最大值 1.5 W 1.5 W 1.5 W 1.5 W 1.5 W 1.5 W
最大功率耗散 (Abs) 15 W 15 W 15 W 15 W 15 W 15 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10 10 10 10 10
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 10 MHz 10 MHz 10 MHz 10 MHz 10 MHz 10 MHz
VCEsat-Max 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V

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