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MJE223LEADFREE: 产品描述Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin,; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小340KB，共2页; 制造商Central Semiconductor; 标准

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MJE223LEADFREE概述

Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin,

MJE223LEADFREE规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Central Semiconductor
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	4 A
基于收集器的最大容量	50 pF
集电极-发射极最大电压	60 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	20
JEDEC-95代码	TO-126
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-65 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	NPN
功耗环境最大值	1.5 W
最大功率耗散 (Abs)	15 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	10
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	10 MHz
VCEsat-Max	2.5 V

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MJE220 THRU MJE225

w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

NPN SILICON

POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR MJE220 series

types are NPN silicon power transistors, manufactured

by the epitaxial-base process, designed for general

purpose amplifier and switching applications.

MARKING: FULL PART NUMBER

TO-126 CASE

MJE220

MJE221

MJE222

MJE223

MJE224

MJE225

MAXIMUM RATINGS:

(TA=25°C)

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Continuous Collector Current

Peak Collector Current

Continuous Base Current

Power Dissipation

Power Dissipation (TC=25°C)

Operating and Storage Junction Temperature

Thermal Resistance

ELECTRICAL

SYMBOL

ICBO

IEBO

BVCEO

VCE(SAT)

VBE(SAT)

VBE(ON)

hFE

Cob

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

ICM

TJ, Tstg

7.0

4.0

8.0

1.0

1.5

-65 to +150

83.4

8.34

UNITS

°C

°C/W

CHARACTERISTICS:

(TC=25°C unless otherwise noted)

TEST CONDITIONS

MIN

VCB=Rated VCBO

VCB=Rated VCBO, TC=125°C

VEB=7.0V

IC=10mA (MJE220, MJE221, MJE222)

IC=10mA (MJE223, MJE224, MJE225)

IC=500mA, IB=50mA

IC=1.0A, IB=100mA (MJE221, MJE224)

IC=2.0A, IB=200mA (MJE220, MJE223)

IC=4.0A, IB=1.0A

IC=2.0A, IB=200mA

VCE=1.0V, IC=500mA

VCE=1.0V, IC=200mA (MJE220, MJE223)

VCE=1.0V, IC=200mA (MJE221, MJE224)

VCE=1.0V, IC=200mA (MJE222, MJE225)

VCE=1.0V, IC=1.0A (MJE221, MJE224)

VCE=1.0V, IC=1.0A (MJE222, MJE225)

VCE=1.0V, IC=2.0A (MJE220, MJE223)

VCE=10V, IC=100mA, f=10MHz

VCE=10V, IE=0, f=100kHz

TYP

MAX

100

0.3

0.6

0.8

2.5

1.8

1.5

200

150

UNITS

μA

MHz

R2 (26-November 2012)

MJE223LEADFREE相似产品对比

	MJE223LEADFREE	MJE220LEADFREE	MJE221LEADFREE	MJE222LEADFREE	MJE224LEADFREE	MJE225LEADFREE
描述	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin,	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin,	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin,	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin,	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin,	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin,
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	4 A	4 A	4 A	4 A	4 A	4 A
基于收集器的最大容量	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF	50 pF
集电极-发射极最大电压	60 V	40 V	40 V	40 V	60 V	60 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	20	20	20	10	20	10
JEDEC-95代码	TO-126	TO-126	TO-126	TO-126	TO-126	TO-126
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e3	e3	e3	e3	e3	e3
元件数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
最低工作温度	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	260	260
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
功耗环境最大值	1.5 W	1.5 W	1.5 W	1.5 W	1.5 W	1.5 W
最大功率耗散 (Abs)	15 W	15 W	15 W	15 W	15 W	15 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子面层	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	10	10	10	10	10	10
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	10 MHz	10 MHz	10 MHz	10 MHz	10 MHz	10 MHz
VCEsat-Max	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V

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