IS45LV44002-60JA1,IS45LV44002-60JA1 pdf中文资料,IS45LV44002-60JA1引脚图,IS45LV44002-60JA1电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> IS45LV44002-60JA1

IS45LV44002-60JA1: 产品描述EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24; 产品类别存储存储; 文件大小131KB，共22页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )

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IS45LV44002-60JA1概述

EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24

IS45LV44002-60JA1规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	SOJ
包装说明	0.300 INCH, SOJ-24
针数	24
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	60 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-J24
JESD-609代码	e0
长度	17.145 mm
内存密度	16777216 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM
内存宽度	4
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	24
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	4MX4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ
封装等效代码	SOJ24/26,.34
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	2048
座面最大高度	3.556 mm
自我刷新	NO
最大待机电流	0.0005 A
最大压摆率	0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	7.62 mm

IS45LV44002-60JA1相似产品对比

	IS45LV44002-60JA1	IS45C44004-60JA1	IS45LV44002-50JA1	IS45LV44002-60JA	IS45LV44004-50JA1	IS45LV44002-50JA	IS45LV44004-50JA
描述	EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24	EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24	EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24	EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24	EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24	EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24	EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ
包装说明	0.300 INCH, SOJ-24	0.300 INCH, SOJ-24	0.300 INCH, SOJ-24	0.300 INCH, SOJ-24	0.300 INCH, SOJ-24	0.300 INCH, SOJ-24	0.300 INCH, SOJ-24
针数	24	24	24	24	24	24	24
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	60 ns	60 ns	50 ns	60 ns	50 ns	50 ns	50 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-J24	R-PDSO-J24	R-PDSO-J24	R-PDSO-J24	R-PDSO-J24	R-PDSO-J24	R-PDSO-J24
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	17.145 mm	17.145 mm	17.145 mm	17.145 mm	17.145 mm	17.145 mm	17.145 mm
内存密度	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bi	16777216 bi
内存集成电路类型	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM
内存宽度	4	4	4	4	4	4	4
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	24	24	24	24	24	24	24
字数	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words
字数代码	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	70 °C	85 °C	70 °C	70 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-	-40 °C	-	-
组织	4MX4	4MX4	4MX4	4MX4	4MX4	4MX4	4MX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ
封装等效代码	SOJ24/26,.34	SOJ24/26,.34	SOJ24/26,.34	SOJ24/26,.34	SOJ24/26,.34	SOJ24/26,.34	SOJ24/26,.34
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	2048	4096	2048	2048	4096	2048	4096
座面最大高度	3.556 mm	3.556 mm	3.556 mm	3.556 mm	3.556 mm	3.556 mm	3.556 mm
自我刷新	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
最大待机电流	0.0005 A	0.001 A	0.0005 A	0.0005 A	0.0005 A	0.0005 A	0.0005 A
最大压摆率	0.11 mA	0.11 mA	0.12 mA	0.11 mA	0.12 mA	0.12 mA	0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	5.5 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	4.5 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	5 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm

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