IS45C44004-60JA1,IS45C44004-60JA1 pdf中文资料,IS45C44004-60JA1引脚图,IS45C44004-60JA1电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> IS45C44004-60JA1

IS45C44004-60JA1: 产品描述EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24; 产品类别存储存储; 文件大小131KB，共22页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )

下载文档详细参数选型对比全文预览

IS45C44004-60JA1概述

EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24

IS45C44004-60JA1规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	SOJ
包装说明	0.300 INCH, SOJ-24
针数	24
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	60 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-J24
JESD-609代码	e0
长度	17.145 mm
内存密度	16777216 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM
内存宽度	4
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	24
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	4MX4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ
封装等效代码	SOJ24/26,.34
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
座面最大高度	3.556 mm
自我刷新	NO
最大待机电流	0.001 A
最大压摆率	0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	7.62 mm

IS45C44004-60JA1相似产品对比

	IS45C44004-60JA1	IS45LV44002-50JA1	IS45LV44002-60JA1	IS45LV44002-60JA	IS45LV44004-50JA1	IS45LV44002-50JA	IS45LV44004-50JA
描述	EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24	EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24	EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24	EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24	EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24	EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24	EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ
包装说明	0.300 INCH, SOJ-24	0.300 INCH, SOJ-24	0.300 INCH, SOJ-24	0.300 INCH, SOJ-24	0.300 INCH, SOJ-24	0.300 INCH, SOJ-24	0.300 INCH, SOJ-24
针数	24	24	24	24	24	24	24
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	60 ns	50 ns	60 ns	60 ns	50 ns	50 ns	50 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-J24	R-PDSO-J24	R-PDSO-J24	R-PDSO-J24	R-PDSO-J24	R-PDSO-J24	R-PDSO-J24
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	17.145 mm	17.145 mm	17.145 mm	17.145 mm	17.145 mm	17.145 mm	17.145 mm
内存密度	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bi	16777216 bi
内存集成电路类型	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM	EDO DRAM
内存宽度	4	4	4	4	4	4	4
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	24	24	24	24	24	24	24
字数	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words	4194304 words
字数代码	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	70 °C	85 °C	70 °C	70 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-	-40 °C	-	-
组织	4MX4	4MX4	4MX4	4MX4	4MX4	4MX4	4MX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ
封装等效代码	SOJ24/26,.34	SOJ24/26,.34	SOJ24/26,.34	SOJ24/26,.34	SOJ24/26,.34	SOJ24/26,.34	SOJ24/26,.34
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	2048	2048	2048	4096	2048	4096
座面最大高度	3.556 mm	3.556 mm	3.556 mm	3.556 mm	3.556 mm	3.556 mm	3.556 mm
自我刷新	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
最大待机电流	0.001 A	0.0005 A	0.0005 A	0.0005 A	0.0005 A	0.0005 A	0.0005 A
最大压摆率	0.11 mA	0.12 mA	0.11 mA	0.11 mA	0.12 mA	0.12 mA	0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm

推荐资源

电压监视集成芯片TL7705CP内部电路框图

请教单电源运算放大电路问题: 最近正在学习运算放大器，如果单电源供电的话，交流信号输入，放大后负半周期应该是没有的，但是Multisim仿真为啥还有负半周期啊，麻烦各位大佬指导。如下图...; kedangxing 模拟电子

带你欣赏allegro的神操作1 -自动将线段合并为一个连续不断的整体: 自动将线段合并为一个连续不断的整体...; ohahaha PCB设计

涡流探伤设备: 现在急需一套涡流探伤检测软件和检测板～兄弟们谁可以帮忙的联系我～18962140895微信同号...; 发的的嵌入式系统

Circuit board 美甲: https://azowka.tumblr.com/post/142166537932...; dcexpert MicroPython开源版块

电磁兼容原理、技术及应用: 为适应当前日益突出的电磁干扰问题和电磁兼容标准的强制实施，满足电气信息类大学生及工程技术人员对电磁兼容知识和技术的需求，本书从电磁兼容的基本概念和简单模型入手，讲解电磁兼容原理及技术，使读者建立起电磁兼容的概念，掌握其基本原理，熟悉基本技术，抓住其中的要点，了解电磁兼容标准、强制认证要求以及电磁兼容在电气、电子产品设计中的应用，为解决电磁兼容方面的问题提供一定的指导。全书共九章。第1、2章介绍了电...; arui1999 下载中心专版

经典书推荐：物联网射频识别（RFID）核心技术详解: [align=center][size=14px][align=left][size=5][color=#ffa500][url=https://www.eeworld.com.cn/a17314]物联网射频识别（RFID）核心技术详解[/url][/color][/size][/align][align=left][size=5][color=#ffa500][/color][/size][/a...; 高进下载中心专版

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多