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C106B

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 4000mA I(T), 200V V(DRM),
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小44KB,共1页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准
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C106B概述

Silicon Controlled Rectifier, 4000mA I(T), 200V V(DRM),

C106B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称EIC [EIC discrete Semiconductors]
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
标称电路换相断开时间40 µs
关态电压最小值的临界上升速率8 V/us
最大直流栅极触发电流0.2 mA
最大直流栅极触发电压0.8 V
最大维持电流3 mA
最大漏电流0.1 mA
通态非重复峰值电流20 A
最大通态电压2.2 V
最大通态电流4000 A
最高工作温度110 °C
最低工作温度-40 °C
断态重复峰值电压200 V
表面贴装NO
触发设备类型SCR

C106B相似产品对比

C106B 2N5060 C106A C106F C106M C106D 2N5061
描述 Silicon Controlled Rectifier, 4000mA I(T), 200V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 510mA I(T), 30V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 4000mA I(T), 100V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 4000mA I(T), 50V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 4000mA I(T), 600V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 4000mA I(T), 400V V(DRM), Silicon Controlled Rectifier, 510mA I(T), 60V V(DRM),
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
Reach Compliance Code compliant compli compliant compliant compliant compliant compli
标称电路换相断开时间 40 µs 10 µs 40 µs 40 µs 40 µs 40 µs 10 µs
最大直流栅极触发电流 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA 0.2 mA
最大直流栅极触发电压 0.8 V 0.8 V 0.8 V 0.8 V 0.8 V 0.8 V 0.8 V
最大维持电流 3 mA 5 mA 3 mA 3 mA 3 mA 3 mA 5 mA
最大漏电流 0.1 mA 0.01 mA 0.1 mA 0.1 mA 0.1 mA 0.1 mA 0.01 mA
通态非重复峰值电流 20 A 10 A 20 A 20 A 20 A 20 A 10 A
最大通态电压 2.2 V 1.7 V 2.2 V 2.2 V 2.2 V 2.2 V 1.7 V
最大通态电流 4000 A 510 A 4000 A 4000 A 4000 A 4000 A 510 A
最高工作温度 110 °C 125 °C 110 °C 110 °C 110 °C 110 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -60 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -60 °C
断态重复峰值电压 200 V 30 V 100 V 50 V 600 V 400 V 60 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
触发设备类型 SCR SCR SCR SCR SCR SCR SCR
厂商名称 EIC [EIC discrete Semiconductors] - EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors] EIC [EIC discrete Semiconductors]
关态电压最小值的临界上升速率 8 V/us - 8 V/us 8 V/us 8 V/us 8 V/us -

 
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